【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、提案有一种多个引线与半导体元件以所谓的倒装芯片的形态接合的半导体装置。这样的半导体装置例如公开在专利文献1中。该半导体装置包括多个引线、半导体元件、接合层和密封树脂。半导体元件使多个第一电极与引线相对地搭载于引线。各第一电极包括与半导体层导通的基部、和从基部向引线突出的圆柱状的柱状部。柱状部经由接合层与引线接合。多个引线相互隔开规定以上的间隔地配置。在半导体元件中，与某一引线接合的第一电极和与另一引线接合的第一电极根据引线间的距离而分离地形成。当第一电极间的距离变长时，形成于半导体层内部的电流路径变长，因此电流路径中的电阻变大。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-77694号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的一个目的在于提供一种与现有技术相比实施了改良的半导体装置。特别是本专利技术鉴于上述情况，其一个目的在于提供一种能够抑制电流路径中的电阻
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
9.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：
7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，其特征...
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