一种挖孔透镜的深紫外LED封装结构制造技术

本发明专利技术属于深紫外LED封装结构技术领域，具体涉及一种挖孔透镜的深紫外LED封装结构，包括陶瓷基板、第一镀铜层、UVC芯片、有机填充层、挖孔石英透镜和第二镀铜层，所述陶瓷基板中心处焊接有第一镀铜层，所述第一镀铜层的中心处设有凸起，所述第一镀铜层的凸起为圆柱形，所述UVC芯片焊接在第一镀铜层的凸起上，所述陶瓷基板为圆柱形，所述第二镀铜层环形设置在陶瓷基板上表面的边缘处。本发明专利技术优化和设计陶瓷基板的三维结构，使得陶瓷基板中心的第一镀铜层凸起，使得UVC芯片焊接后高度抬高，UVC芯片抬高后，UVC芯片的侧面发光，并且本发明专利技术降低四周围坝的第二镀铜层的挡光，达到最好的紫外光提取效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于深紫外led封装结构，具体涉及一种挖孔透镜的深紫外led封装结构。

技术介绍

1、目前深紫外的封装形式主要是采用镀铜镍金的三维围坝陶瓷基板，采用金锡焊接的共晶工艺将深紫外芯片焊接在带有三维围坝的陶瓷基板腔体内，通过加盖石英平面玻璃和石英球面透镜，粘结站三维围坝的台阶上，达到深紫外芯片封装和出光的要求。因为可透过深紫外250nm-315nm波段的玻璃材质只有型号为jgs1和jgs2的石英玻璃，固透光的的平面和球面的玻璃都为石英材质。

2、石英透镜与芯片间有空气间隙，且深紫外倒装芯片的出光界面为蓝宝石衬底，传统的深紫外封装形式，深紫外光经过蓝宝石，空气，石英玻璃最后再进入空气，整个过程界面的折射率为从高到低，再到高，再到低。按照菲涅尔效应，如果深紫外光要有更好的提取效果，光线经过的介质层需要从芯片的蓝宝石开始折射率逐渐降低，且折射率的降低的梯度层次越缓慢越好。固传统的封装形式折射率从高到低，再到高，再到低会极大的影响深紫外光的提取效果。且传统的封装结构为了保证透镜的固定，侧壁有围坝，围坝会挡光，影响紫外出光。>

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【技术保护点】

1.一种挖孔透镜的深紫外LED封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板（1）、第一镀铜层（2）、UVC芯片（3）、有机填充层（4）、挖孔石英透镜（5）和第二镀铜层（6），所述陶瓷基板（1）中心处焊接有第一镀铜层（2），所述第一镀铜层（2）的中心处设有凸起（21），所述第一镀铜层（2）的凸起（21）为圆柱形，所述UVC芯片（3）焊接在第一镀铜层（2）的凸起（21）上，所述陶瓷基板（1）为圆柱形，所述第二镀铜层（6）环形设置在陶瓷基板（1）上表面的边缘处，所述挖孔石英透镜（5）镶嵌在第一镀铜层（2）的凸起（21）与第二镀铜层（6）之间，所述有机填充层（4）设置在UVC芯片（3）和挖孔石英透镜（5）...

【技术特征摘要】

1.一种挖孔透镜的深紫外led封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板（1）、第一镀铜层（2）、uvc芯片（3）、有机填充层（4）、挖孔石英透镜（5）和第二镀铜层（6），所述陶瓷基板（1）中心处焊接有第一镀铜层（2），所述第一镀铜层（2）的中心处设有凸起（21），所述第一镀铜层（2）的凸起（21）为圆柱形，所述uvc芯片（3）焊接在第一镀铜层（2）的凸起（21）上，所述陶瓷基板（1）为圆柱形，所述第二镀铜层（6）环形设置在陶瓷基板（1）上表面的边缘处，所述挖孔石英透镜（5）镶嵌在第一镀铜层（2）的凸起（21）与第二镀铜层（6）之间，所述有机填充层（4）设置在uvc芯片（3）和挖孔石英透镜（5）之间。

2.根据权利要求1所述的一种挖孔透镜的深紫外led封装结构，其特征在于：还包括正极电极面（7）和负极电极面（8），所述正极电极面（7）和负极电极面（8）设置在陶瓷基板（1）的底部，所述正极电极面（7）和负极电极面（8）均穿过陶瓷基板（1）与第一镀铜层（2）电性连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：申聪敏，石鹏吉，李云霞，张童，李超，李晋闽，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：