一种芯片堆叠的封装方法及结构技术

本发明专利技术涉及数据可视化技术领域，具体地说是一种芯片堆叠的封装方法及结构。包括如下步骤：S1，上芯片贴ACF膜，并划片；S2，将上芯片与硅转接板堆叠，并封装；步骤S1的具体方法如下：S11，在上芯片的正面贴膜，并将上芯片的背面减薄至30~50um；S12，将上芯片倒膜翻转，并在上芯片正面贴ACF膜，ACF膜覆盖上芯片表面；S13，撕去底膜；S14，划片。步骤S2的具体方法如下：S21，载片支撑硅转接板；S22，将上芯片倒装热压焊至硅转接板一侧；S23，塑封；S24，去除载片；S25，植金属球；S26，划。同现有技术相比，采用ACF膜取代现有的凸点焊接、混合键合方式，省略了凸点制作流程封大大降低封装成本，封装设备简单，无尘环境要求不高，大大降低了设备成本投入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据可视化，具体地说是一种芯片堆叠的封装方法及结构。

技术介绍

1、目前2.5d及3d半导体先进封装领域，一般性的芯片堆叠方式主要有倒装焊或者热压焊加底填胶（fc/tcb+underfill），underfill底填需要边上预留点胶平面，对于二次堆叠芯片underfill底填无法进行工艺。非导电胶加热压焊（ncf-tcb），用ncf替代underfill来实现多芯片堆叠间隙，但是ncf膜贴附包裹凸点时易发生气泡；另外热压焊接对于凸点分布不均匀的情况下，易对薄芯片产生开裂异常。热压焊加塑封（tcb-muf），塑封料很难实现填充多芯片堆叠间隙。混合键合技术（hybrid bonding）虽然省去了凸点制作流程，但是该制程对于环境和设备要求及芯片表面平整度要求非常高，成本上大大提升。

技术实现思路

1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种芯片堆叠的封装方法及结构。

2、为实现上述目的，设计一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

3、s1，上芯片贴acf膜，并划片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：所述的上芯片（1）的数量为一个及以上，若干上芯片（1）均位于同一平面。

3.一种根据权利要求1或2任一项所述的芯片堆叠的封装结构，其特征在于：包括硅转接板（5）一侧焊盘通过ACF膜（4）电连接上芯片（1），硅转接板（5）另一侧焊盘连接金属球（7）。

4.一种3D芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种堆叠的封装方法，其特征在于：所述的中间芯片（2）的数量为一个及以上，若干中间芯片（2）呈垂直...

【技术特征摘要】

1.一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种芯片堆叠的封装方法，其特征在于：所述的上芯片（1）的数量为一个及以上，若干上芯片（1）均位于同一平面。

3.一种根据权利要求1或2任一项所述的芯片堆叠的封装结构，其特征在于：包括硅转接板（5）一侧焊盘通过acf膜（4）电连接上芯片（1），硅转接板（5）另一侧焊盘连接金属球（7）。

4.一种3d芯片堆叠的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种堆叠的封装方法，其特征在于：所述的中间芯片（2）的数量为一...

【专利技术属性】
技术研发人员：范俊，陈之文，邵滋人，付永朝，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：