键合晶圆的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种键合晶圆的制备方法，包括：提供支撑晶圆，在制备支撑晶圆时执行氮掺杂工艺，支撑晶圆的氧含量为5.5×10<supgt;17</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;～1×10<supgt;18</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;；在惰性气体中对支撑晶圆执行热处理工艺；提供器件晶圆，将支撑晶圆和器件晶圆键合形成键合晶圆。本发明专利技术能够提高支撑晶圆的机械强度，抑制位错的产生，从而提高键合晶圆的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种键合晶圆的制备方法。

技术介绍

1、绝缘层上硅(soi,silicon on insulator)技术目前已成为多数电子材料领域的主流产品之一，随着新能源汽车的高速发展，车规级的soi晶圆车载芯片的集成度逐渐提高，因此市场上对于高均匀性soi晶圆的需求愈来愈高，如何进一步提高soi晶圆的均匀性成为当下发展的一个重要趋势。

2、在soi晶圆的制备技术中，两个晶圆被绝缘埋氧层隔离，可以有效地减少寄生电容，提高器件的速度，并降低功耗。其中公知的一种方法是将两个氧化后的晶圆直接亲水键合，然后通过研磨抛光来减薄顶层晶圆至所需厚度。另一种是将氢、氦等惰性气体的离子注入一晶圆内部形成离子注入层，与另一晶圆键合后，通过热处理在离子注入层处进行剥离，形成soi晶圆。

3、soi晶圆在后续的加固减薄及平坦化工艺中，当机械应力和热应力超出了晶格的承受能力(屈服强度)，会导致晶格变形，因变形的差异，宏观上体现为位错、层错、滑移线等。当晶体发生滑移位错后，位错会沿着晶体的晶向扩展，直到遇到其他位错或晶界。如果位错数量越多，晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种键合晶圆的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，制备所述支撑晶圆的步骤包括：

3.如权利要求1或2所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，在执行所述直拉工艺的进程中掺入氮化硅材料实现所述氮掺杂工艺。

4.如权利要求3所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，所述氮掺杂工艺的掺氮浓度为1012atoms/cm3～1015atoms/cm3。

5.如权利要求2所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，所述晶体生长参数包括生长形成所述晶锭时的转速、压力、磁场和气体流量。

6.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种键合晶圆的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，制备所述支撑晶圆的步骤包括：

3.如权利要求1或2所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，在执行所述直拉工艺的进程中掺入氮化硅材料实现所述氮掺杂工艺。

4.如权利要求3所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，所述氮掺杂工艺的掺氮浓度为1012atoms/cm3～1015atoms/cm3。

5.如权利要求2所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，所述晶体生长参数包括生长形成所述晶锭时的转速、压力、磁场和气体流量。

6.如权利要求1所述的键合晶圆的制备方法，其特征在于，所述热处理工艺的工艺时间为30min～600min，所述热处理工艺的工艺温度为500℃～900℃。

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【专利技术属性】
技术研发人员：汪子文，李名浩，魏星，李炜，
申请(专利权)人：上海新傲芯翼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：