改善半导体孔洞缺陷的方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种改善半导体孔洞缺陷的方法及半导体器件的制造方法，属于半导体领域。该改善半导体孔洞缺陷的方法包括提供一半导体结构，提供一半导体结构；将半导体结构在第一设定温度下持续一定时间进行快速热退火处理；对快速热退火处理之后的半导体结构依次进行第一氮化钛层侧推和第一氮化钛层移除处理；将第一氮化钛层移除之后的半导体结构的源极和漏极沉积第二氮化硅层，并在沉积第二氮化硅层之后的源极、漏极，以及栅极依次沉积钛层和第二氮化钛层；将沉积第二氮化钛层之后的半导体结构在第二设定温度下进行尖峰退火处理。本发明专利技术通过在沉积氮化钛之前对半导体结构进行快速热退火处理，以在沉积钛层和第二氮化钛层之前释放半导体结构层中的氯离子，并且将沉积钛层和第二氮化钛层之后的半导体结构通过尖峰退火的方式处理，有效形成钛硅化合物，由于氯离子被提前释放，并且沉积的钛和氮化钛通过尖峰退火的方式转换为钛硅化合物，由于氯离子不会与氮化钛发生反应，从而能够避免半导体结构层出现孔洞缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种改善半导体孔洞缺陷的方法及半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。集成电路采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“ic”表示。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

2、随着集成电路特征尺寸不断缩小，迎来了平面器件向三维器件的转变。参图1所示，图1为一实施例中半导体结构的示意图。在先进工艺制程中，由于钨金属无法填入短沟道顶部区域，导致含有hfo2/tin/tial的第一结构层20与含有ti/tin的m0p粘附层10直接接触，经过钛硅化物退火工艺，m0p粘附层中10的氯离子发生扩散，并与第一结构层20中的ti反应，造成m0p粘附层10底部出现孔洞30缺陷。

<p>3、需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，所述第一设定温度为450℃～700℃。

3.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，对刻蚀之后的半导体结构进行快速热退火处理的时间为2S～120S。

4.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，所述第二设定温度为450℃～700℃。

5.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，通过原子沉积的方式沉积第二氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法...

【技术特征摘要】

1.一种改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，所述第一设定温度为450℃～700℃。

3.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，对刻蚀之后的半导体结构进行快速热退火处理的时间为2s～120s。

4.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，所述第二设定温度为450℃～700℃。

5.根据权利要求1所述的改善半导体孔洞缺陷的方法，其特征在于，通过原子沉积的方式沉积第二氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的改善半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤陈霞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：