一种锑化物纳米线激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锑化物纳米线激光器及其制备方法。该激光器包括设置在衬底上的GaSb/AlAsSb DBR层、设置GaSb/AlAsSb DBR层上的GaSb/AlGaSb/GaInSb核壳量子阱，所述GaSb/AlGaSb/GaInSb核壳量子阱具有以GaSb纳米线为核，以AlGaSb/GaInSb量子阱为壳层的核壳结构。其制备方法包括如下步骤：(1)在GaSb或者InAs衬底上，利用分子束外延生长GaSb/AlAsSb DBR层；(2)采用磁控溅射方式，在DBR表面溅射Au纳米粒子催化剂并进行退火；(3)进行GaSb纳米线的生长；(4)以所生长GaSb纳米线为核，生长AlGaSb/GaInSb量子阱壳层；(5)采用化学腐蚀方式去除Au纳米粒子，采用减薄方式去除GaSb或InAs衬底。本发明专利技术能够实现增益介质内纵模的有效振荡，改善纳米线端面的镜面反射效应，最终实现具有高增益低损耗的GaSb纳米线的受激发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锑化物纳米线激光器及其制备方法，属于半导体光电子。

技术介绍

1、纳米线激光器具备同时将载流子和光子限制在一维尺度纳米微腔中的能力。与量子阱结构相比，这种一维结构仅允许载流子沿纳米线的轴向方向传输，因而具有更好的载流子限制能力；此外一维尺度的纳米腔可提供更好的光场限制能力，有利于提高自发辐射效率。因此这种基于纳米线的半导体激光器将具有更低的激光器阈值，是纳米激光器研究领域中比较重要的激光器结构，成为本领域的研究热点。

2、中红外波段激光具有重要的军用和民用价值，因此开展该波段的半导体纳米激光器研究具有较为重要的研究意义。作为该波段半导体激光的首选材料，锑化镓(gasb)受到了广泛关注。然而仅2006年a.h.chin采用化学气相沉积(cvd)方式生长gasb微米线，利用钛宝石激光器作为泵浦源在低温下实现了1550nm gasb微米线的受激发射现象。因此如何实现基于gasb纳米结构的室温激射是国内外研究人员共同关心的热点问题。

3、gasb纳米线激光器的工作原理如下：以纳米线作为fp腔(fabry-perot cav本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锑化物纳米线激光器，其特征在于，该激光器包括设置在衬底上的GaSb/AlAsSbDBR层、设置GaSb/AlAsSb DBR层上的GaSb/AlGaSb/GaInSb核壳量子阱，所述GaSb/AlGaSb/GaInSb核壳量子阱具有以GaSb纳米线为核，以AlGaSb/GaInSb量子阱为壳层的核壳结构。

2.根据权利要求1所述的锑化物纳米线激光器，其特征在于，

3.一种权利要求1或2所述锑化物纳米线激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的锑化物纳米线激光器的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，采用直流溅射，...

【技术特征摘要】

1.一种锑化物纳米线激光器，其特征在于，该激光器包括设置在衬底上的gasb/alassbdbr层、设置gasb/alassb dbr层上的gasb/algasb/gainsb核壳量子阱，所述gasb/algasb/gainsb核壳量子阱具有以gasb纳米线为核，以algasb/gainsb量子阱为壳层的核壳结构。

2.根据权利要求1所述的锑化物纳米线激光器，其特征在于，

3.一种权利要求1或2所述锑化物纳米线激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的锑化物纳米线激光器的制备方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，采用直流溅射，背底真空为10-4pa，充入高纯氩气，溅射气压为0.5pa，气体流量为50sccm，溅射功率为40w，溅射时间为30。

5.根据权利要求3所述的锑化物纳米线激光器的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸿滨，屠海令，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：