突出状源漏级外延硅的形成方法技术

本发明专利技术提供一种突出状源漏级外延硅的形成方法，提供衬底，在衬底上形成有栅极叠层，在衬底、栅极叠层上形成硬掩膜层；利用光刻、刻蚀图形化硬掩膜层，使得栅极叠层、及其侧壁上硬掩膜层之外的部分衬底裸露，以定义出外延生长的区域；在裸露的衬底上外延生长掺杂磷的第一外延硅层，第一外延硅层的剖面形状为梯形，第一外延硅层和栅极叠层侧壁上的硬掩膜层之间具有间隙；在第一外延硅层上外延生长纯硅的第二外延硅层以填充间隙，刻蚀第二外延硅层以及硬掩膜层，至第一外延硅层、栅极叠层的上表面裸露。本发明专利技术的方法在简化了工艺流程的同时提升了工艺窗口，有助于节约成本提升良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种突出状源漏级外延硅的形成方法。

技术介绍

1、缘体上硅nmos区域突出状源漏级硅外延现行的工艺流程如下：

2、提供衬底，在所述衬底上形成有栅极叠层，先沉积一层siocn，用作之后硅外延的硬掩模。

3、之后进行光刻工艺，打开需要在soi上形成外延硅的区域，通过干刻去除其上的siocn硬掩模，并去除光刻胶。

4、湿法清洗去除干刻可能产生的副产物后，在打开的soi上通过外延生长一层sip(掺杂磷的外延硅层)。由于sip的固有属性，此时其形状大多接近梯形。

5、通过干刻去除siocn硬掩模，然后湿法清洗去除可能产生的副产物。

6、在sip上通过cvd(化学气相沉积)沉积一层氮化硅，用以填充sip与栅极侧面间的缝隙。

7、通过干刻去除sip顶部的氮化硅，但sip与栅极侧面缝隙间的氮化硅不可避免得保留了下来，且越靠近顶部残留越多。由于氮化硅无法参与后续镍硅的形成，sip顶部实际开口变小，会导致后续反应生成的金属硅化物较薄，增大了被接触孔打穿的概率，不利于工艺窗口本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为绝缘体上硅衬底。

3.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅介质层、栅极多晶硅层、氮化硅层、二氧化硅层组成。

4.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为SiOCN。

5.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中利用原子层沉积的方法形成所述硬掩膜层...

【技术特征摘要】

1.一种突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为绝缘体上硅衬底。

3.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅介质层、栅极多晶硅层、氮化硅层、二氧化硅层组成。

4.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为siocn。

5.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中利用原子层沉积的方法形成所述硬掩膜层。

6.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的厚度为60至80nm。

7.根据权利要求1所述的突出状源漏级外延硅的形成方法，其特征在于：步骤二中的所述利用光刻、刻蚀图形化所述硬掩膜层的方法包括：形成覆盖所述硬掩膜层的光刻胶层；光刻打...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚佳祺，辻直樹，汪韬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：