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本发明提供一种突出状源漏级外延硅的形成方法，提供衬底，在衬底上形成有栅极叠层，在衬底、栅极叠层上形成硬掩膜层；利用光刻、刻蚀图形化硬掩膜层，使得栅极叠层、及其侧壁上硬掩膜层之外的部分衬底裸露，以定义出外延生长的区域；在裸露的衬底上外延生长掺...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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