半导体工艺设备的气体混合装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了半导体工艺设备的气体混合装置，包括控制箱：控制箱用于对进入的载气流量进行控制；连接管道，连接管道固定安装于控制箱一端且用于对工艺气体进行导流；混合机构，混合机构固定安装于连接管道一端用于对载气和工艺气体进行混合；混合釜，混合釜套接于混合机构外侧用于对工艺气体进行阻隔；进气管，进气管嵌入安装于混合釜顶端两侧用于和进气管路进行连接；通过对工艺气体的对冲、截留和搅拌，对冲、截留和搅拌可以帮助工艺气体混合更加均匀，确保混合气体中各组分的浓度均匀分布，从而保证工艺过程的稳定性和可靠性，同时可以促进分子之间的相互作用和扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，尤其涉及半导体工艺设备的气体混合装置及半导体工艺设备。

技术介绍

1、cvd硅外延设备是一种利用cvd技术在硅基等衬底表面生长硅薄膜的装置。硅外延的一般实现方式为：控制工艺气体流过被加热的衬底，工艺气体在衬底表面发生化学反应生成硅，进而在衬底表面形成一层硅单质薄膜；

2、cvd外延工艺的关键点在于温场和气流场的控制；其中工艺气体作为反应介质，其浓度和均匀性对反应效果的影响尤为显著。一般来说，cvd反应腔室中包含多种气体，其中一种主要气体作为载气，一般为h2，起到运输和稀释工艺气体的作用；另外两种或者两种以上的气体作为工艺气体，工艺气体经过衬底表面时的浓度和均匀性影响了反应效率，进而会影响外延薄膜的均匀性，为此需要将载气和工艺气体之间进行混合，而气体混合过程中的核心设备是混合器件，其将两种或多种工艺气体按一定比例混合，并实现精确的控制。由于现有装置中工艺气体之间不便于进行混淆，均通过进入到混合罐内部，然后利用搅拌结构进行搅拌混淆，此时搅拌过程中形成局部的风流，而不是均匀地混合整个空间中的气体，导致气体混合不均匀的问题。...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述三通管一（63）底端和三通管二（66）一端之间安装有阻流管（64），所述阻流管（64）外表面底部套接有弯管（65），所述弯管（65）一端和三通管二（66）另一端固定连接，所述汇集三通管（67）顶端固定安装有排气管（68）。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述阻流管（64）内部固定安装有铰龙（641），所述阻流管（64）内部位于铰龙（641）底端位置处一体成型有十字架（642），所述十字架（642）内部中...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述三通管一（63）底端和三通管二（66）一端之间安装有阻流管（64），所述阻流管（64）外表面底部套接有弯管（65），所述弯管（65）一端和三通管二（66）另一端固定连接，所述汇集三通管（67）顶端固定安装有排气管（68）。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述阻流管（64）内部固定安装有铰龙（641），所述阻流管（64）内部位于铰龙（641）底端位置处一体成型有十字架（642），所述十字架（642）内部中部转动连接有转动柱（643），所述转动柱（643）外表面位于十字架（642）底端位置处卡接安装有扇叶二（644），所述转动柱（643）外表面底部一体成型有搅拌杆（645）。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述三通管二（66）内壁固定安装有文丘里管（661），所述排气管（68）外表面底部一体成型有圆环（681），所述圆环（681）顶端对称嵌入安装有伸缩杆（682），两个所述伸缩杆（682）一端固定安装有圆盘（683），所述圆盘（683）内壁底端固定安装有锥形体（684）且锥形体（684）的最大外径等于排气管（68）出气孔内径。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的气体混合装置，其特征在于，所述弧形管（61）底端开设有四个排气孔，两个所述弧形管（61）底端的排气孔之间通过导流管（62）和三通管一（63）相连，所述导流管（62）和三通管一（63）共设置为四组，每组导流管（62）和三通管一（6...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼，田相龙，姜大春，
申请(专利权)人：艾生科江苏化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：