【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种硅桥嵌入的基板结构及其制造方法。
技术介绍
1、硅桥埋入到基板中用于基板表面封装的相邻芯片间的数据和信号的传输，对于高性能芯片的系统集成，具有重要的意义。fcbga基板中埋入硅桥，主要用于替代带有tsv硅通孔的有机转接板，实现cpu、gpu以及高性能fpga芯片间的数据传输，实现高速、低损耗、高带宽和低功耗的芯片互连。
2、为避免硅桥在fcbga基板中占用很大的空间，通常硅桥的尺寸长度为2-8mm，宽度同样是2-8mm，而厚度为50um左右的薄片，在硅桥的表面是3-5层金属布线层介质是氧化硅、氮化硅、pi，布线金属是铜，由于超高的布线密度，布线层每层的铜的残铜率较高，硅桥的厚度中有30％是rdl层，硅的cte是3×10-6/k，二氧化硅的cte大约0.5×10-6/k，铜为17×10-6/k，rdl层中主要是氧化硅和铜，rdl层材料、基板层和硅之间的热膨胀系数(cte)不匹配，因此会导致硅桥翘曲，而翘曲过大的硅桥贴在开槽中，会出现硅桥因翘曲导致压合层固化过程中出现硅桥的局部翘起，在硅桥底...
【技术保护点】
1.一种硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，所述第一压合层的覆盖厚度为所述第二凸点相对所述上表面凸起高度的0.4倍～0.6倍。
3.根据权利要求1所述的硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，所述第二凸点呈阵列排布，所述地电极设置有多个，多个所述地电极间隔设置。
4.一种硅桥嵌入的基板结构的制造方法，适用于权利要求1-3任一项所述的硅桥嵌入结构，其特征在于，该方法包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的硅桥嵌入的基板结构的制造方法，其特征在于，第一压合填埋树脂之后还包括...
【技术特征摘要】
1.一种硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，所述第一压合层的覆盖厚度为所述第二凸点相对所述上表面凸起高度的0.4倍～0.6倍。
3.根据权利要求1所述的硅桥嵌入的基板结构，其特征在于，所述第二凸点呈阵列排布，所述地电极设置有多个，多个所述地电极间隔设置。
4.一种硅桥嵌入的基板结构的制造方法，适用于权利要求1-3任一项所述的硅桥嵌入结构，其特征在于，该方法包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的硅桥嵌入的基板结构的制造方法，其特征在于，第一压合填埋树脂之后还包括步骤：第二压合填埋树脂，在所述基板的底面压合填埋树脂以形成所述第二压合层，并进行固化。
...【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，方志丹，杨芳，王启东，武晓萌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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