本发明专利技术为一种含纳米晶的氧化铈片状粉体及其制备方法，属于抛光材料领域，涉及一种抛光粉材料及其制备方法。该材料主要物相为二氧化铈，主要特征是片状粉体，粉体粒径大小为1~20μm，粉体中含有100 nm左右的细小晶粒。制备方法是通过并流共沉淀法制备水合氧化铝，将水合氧化铝研磨超声分散后，采用蠕动泵同时加入Ce<supgt;3+</supgt;溶液和碱式沉淀剂制备前驱体，然后在600℃以上高温下进行煅烧，得到含纳米晶的片状粉体。粉体主要晶相为氧化铈且具有片状形貌，可以有效减小被抛光材料的表面损伤，较大程度优化对碳化硅等超硬材料的抛光效率和效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于抛光材料领域，具体涉及一种含纳米晶的氧化铈片状粉体材料及其制备方法。
技术介绍
1、随着第三代半导体的发展，碳化硅等衬底材料的加工过程中，晶片的减薄、研磨、抛光过程非常重要。由于碳化硅单晶具有极高的硬度，传统的加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的晶片。加工过程中常使用二氧化硅、氧化铝、氧化铈等作为磨料材料。二氧化硅主要依靠磨料与被抛光材料之间的机械作用对基片进行抛光，但二氧化硅磨料的平均莫氏硬度为7，故在抛光碳化硅等硬度极高的材料时会因为硬度不足导致抛光效率不足。氧化铝磨料硬度较二氧化硅更高，但容易造成材料表面不必要的损伤，且仅通过磨料颗粒的机械作用仍然效率不足。氧化铈在使用过程中主要是利用其化学作用破坏材料表面的化学键，将较硬的表面转化为软化层，能有效提高抛光效率。
2、化学机械抛光是目前对碳化硅进行精细抛光的常用方法，可以改善常用机械抛光在使用中对材料表面的过度损伤，兼顾材料去除率与抛光后的表面粗糙度。一些复合材料的制备和应用有望在现有磨料的基础上有效提高对sic等材料的抛光效率和效果。
>3、于长江等人（c本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含纳米晶的氧化铈片状粉体及其制备方法，其特征在于：该材料为粒径大小为1~20μm片状粉体，片状内部分布大量约100 nm的纳米晶粒，该材料主要晶相为二氧化铈，是具有片状形貌的氧化铈粉体材料。
2.权利要求1所述一种含纳米晶的氧化铈片状粉体及其制备方法，其特征在于：并流加入含有Al3+的溶液和碱性沉淀剂进行沉淀，调整pH至8左右，将制备得到的前驱体进行烘干，将烘干后的前驱体研磨后加入反应烧杯，加入去离子水进行超声分散，采用并流法同时加入含有Ce3+的溶液和沉淀剂，铝/铈离子比范围在0.2至10之间，调整pH值至7.5-13进行沉淀；陈化2小时以上、100 ℃干燥、研磨后...
【技术特征摘要】
1.一种含纳米晶的氧化铈片状粉体及其制备方法，其特征在于：该材料为粒径大小为1~20μm片状粉体，片状内部分布大量约100 nm的纳米晶粒，该材料主要晶相为二氧化铈，是具有片状形貌的氧化铈粉体材料。
2.权利要求1所述一种含纳米晶的氧化铈片状粉体及其制备方法，其特征在于：并流加入含有al3+的溶液和碱性沉淀剂进行沉淀，调整ph至8左右，将制备得到的前驱体进行烘干，将烘干后的前驱体研磨后加入反应烧...
【专利技术属性】
技术研发人员：芶立，张一鸣，向定艾，夏彤，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
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