【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体处理,尤其涉及一种等离子体废气处理装置及半导体尾气的无水电离处理方法。
技术介绍
1、scrubber是将半导体工程中排出的气体用水溶解后废水化,将其净化后排出的核心设备。为了启动半导体工程,每天需要使用数十万吨规模的工业用水。担心环境问题的半导体企业在确保水源地和排水遇到了困难,因此没有水处理的scrubber需求正在增加。
2、因此,需要制造一种没有水处理的半导体尾气处理装置,该半导体尾气处理装置可以同时解决半导体公司面临的水短缺和环境问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种等离子体废气处理装置及半导体尾气的无水电离处理方法,通过设计空冷与循环冷却介质交替冷却的方式,能避免等离子体电离后的分解气与水混合降温导致的大量水浪费,以及产生废酸液的问题。
2、为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:
3、第一方面,本专利技术提供一种等离子体废气处理装置,所述等离子体废气处理装置沿废气输送方向依次包括:第一单元、收集单
...【技术保护点】
1.一种等离子体废气处理装置,其特征在于,所述等离子体废气处理装置沿废气输送方向依次包括:第一单元、收集单元和第二单元,所述第一单元和第二单元并列设置在所述收集单元上,且所述第一单元、收集单元和第二单元的内部空间相连通;
2.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述等离子火炬部设置在所述气体吸入部的上部;
3.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,沿轴向自上向下的方向,所述气体吸入部的直径逐渐减小;
4.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述反应空气注入部包括外壳层和内壁层,所述
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体废气处理装置,其特征在于,所述等离子体废气处理装置沿废气输送方向依次包括:第一单元、收集单元和第二单元,所述第一单元和第二单元并列设置在所述收集单元上,且所述第一单元、收集单元和第二单元的内部空间相连通;
2.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述等离子火炬部设置在所述气体吸入部的上部;
3.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,沿轴向自上向下的方向,所述气体吸入部的直径逐渐减小;
4.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述反应空气注入部包括外壳层和内壁层,所述反应空气注入部的内壁层上设置有与空气输送口相连接且均匀分布的孔洞;
5.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述第一空冷部包括外壳层和内壁层,所述第一空冷部的内壁层上设置有与空气输送口相连接且均匀分布的孔洞;
6.根据权利要求1所述的等离子体废气处理装置,其特征在于,所述收集单元包括进气口、出气口、空气注入口、循环冷...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚文旭,林采成,徐神斌,
申请(专利权)人:浙江思辰半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。