【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储，尤其涉及一种存储单元、存储器及存储器的控制方法。
技术介绍
1、随着半导体器件的广泛使用，利用半导体晶体管结合电容器所组成的1t1c结构经常被用作存储单元来构成存储器，尤其是动态随机存取存储器(dram，dynamic randomaccess memory)。基于dram存储器特性，电容器中所存储的电荷会随着时间流失而不断丢失，因此需要通过自刷新操作来保证数据存储的正确性。但是，电容器中电荷的流逝速度受环境温度影响，因此通过温度传感器对存储器的环境温度进行检测可作为自刷新率调节的依据，但是，温度传感器通常独立设置在存储阵列之外，虽然也可以实现温度检测的目的，但得到的温度检测结果只能反应存储阵列整体的环境温度，无法对准确反应电容器结构实际的温度情况，可能导致自刷新率无法匹配电容器的电荷流失情况。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于提供一种存储单元、存储器及存储器的控制方法，用以解决现有技术中温度传感器无法准确反映电容器结构实际温度，导致自刷新率无法匹配电容器的电...
【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述介质层至少由以下任意一种材料制成：石墨烯、聚偏二氟乙烯、热敏电阻材料。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述绝缘层至少由以下任意一种材料制成：氮化硅、氮化铝、硅氧化物、氧化铝。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储单元，其特征在于，相邻的所述存储单元的所述下电极层之间互相连通，相邻的所述存储单元的所述上电极层之间互相绝缘。
5.一种存储器，其特征在于，至少包括：
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述介质层至少由以下任意一种材料制成：石墨烯、聚偏二氟乙烯、热敏电阻材料。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述绝缘层至少由以下任意一种材料制成：氮化硅、氮化铝、硅氧化物、氧化铝。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储单元，其特征在于，相邻的所述存储单元的所述下电极层之间互相连通，相邻的所述存储单元的所述上电极层之间互相绝缘。
5.一种存储器，其特征在于，至少包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：耿玓，王桂磊，赵超，李伟伟，卢年端，李泠，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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