三维快闪存储器装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种三维快闪存储器装置及其形成方法。三维快闪存储器装置包括衬底、T形多晶硅柱、选择线柱、位线柱、第一和第二控制栅极、第一和第二浮置栅极以及第一和第二高介电常数介电柱。选择线柱与位线柱垂直设置于衬底上且相邻于T形多晶硅水平突出部的多个第一相对侧壁。第一控制栅极与第二控制栅极相邻于水平突出部的多个第二相对侧壁。第一浮置栅极和第二浮置栅极横向设置于水平突出部与第一和第二控制栅极之间。第一和第二高介电常数介电柱横向设置于第一浮置栅极和第一控制栅极之间以及第二浮置栅极和第二控制栅极之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种三维(3d)快闪存储器装置及其形成方法，特别是关于三维编码型(nor)快闪存储器装置及其形成方法。

技术介绍

1、快闪存储器是一种大容量、高读写速度、低功耗、低成本的非易失性存储器。由于快闪存储器具非易失特性，断电后数据仍可保存在快闪存储器中，因此，快闪存储器受到广泛的应用。

2、在编码型快闪存储器(nor flash memory)中，存储器单元的尺寸在缩小栅极长度和栅极宽度时会出现问题。举例来说，为了在读出时获得高读出电流而不能进一步缩小存储器单元的栅极宽度。为了避免降低临界电压(vth)而不能进一步缩小存储器单元的栅极长度。为了避免短通道效应(sce)问题而不能进一步微缩存储器单元的穿隧氧化层的厚度。基于上述原因，提高nor快闪存储器的整合度和降低每单位的位成本变得越来越困难，因此，需要一种新型的三维nor快闪存储器装置来提高晶片面积使用效率。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种三维快闪存储器装置。三维快闪存储器装置包括衬底、t形多晶硅柱、选择线柱、位线柱、第一控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维快闪存储器装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一绝缘层，围绕该T型多晶硅柱的该垂直延伸部。

3.如权利要求2所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一绝缘柱，垂直设置在该衬底上且贯穿该T型多晶硅柱。

4.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括：

5.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一源极电极以及一漏极电极，分别靠近该T形多晶硅柱的该水平突出部的所述多个第一相对侧壁且与该选择线柱和该位线柱接触，其中该T形多晶硅柱的该水平突出部，该源极电...

【技术特征摘要】

1.一种三维快闪存储器装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一绝缘层，围绕该t型多晶硅柱的该垂直延伸部。

3.如权利要求2所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一绝缘柱，垂直设置在该衬底上且贯穿该t型多晶硅柱。

4.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括：

5.如权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其特征在于，更包括一源极电极以及一漏极电极，分别靠近该t形多晶硅柱的该水平突出部的所述多个第一相对侧壁且与该选择线柱和该位线柱接触，其中该t形多晶硅柱的该水平突出部，该源极电极、该漏极电极、该第一浮置栅极、该第二浮置栅极、该第一控制栅极和该第二控制栅极位于同...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈达，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：