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本发明提供一种三维快闪存储器装置及其形成方法。三维快闪存储器装置包括衬底、T形多晶硅柱、选择线柱、位线柱、第一和第二控制栅极、第一和第二浮置栅极以及第一和第二高介电常数介电柱。选择线柱与位线柱垂直设置于衬底上且相邻于T形多晶硅水平突出部的多...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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