非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置制造方法及图纸

技术编号:42123237 阅读:16 留言:0更新日期:2024-07-25 00:40
提供非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置,所述非易失性存储器装置包括:存储器块,包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线,所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元,第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管,第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管;以及控制电路,被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。

【技术实现步骤摘要】

公开涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的恢复方法。


技术介绍

1、存储器装置被用于存储数据,并且被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。即使在电力被切断时,非易失性存储器装置也可存储数据。非易失性存储器装置主要被用作用于在广泛的应用装置(诸如,计算机和便携式通信装置)中存储程序和数据的大容量存储器。

2、近来,随着非易失性存储器装置具有越来越高的密度和越来越大的容量,各种问题正在出现。


技术实现思路

1、一些示例实施例提供可防止或减少热载流子注入(hci)现象的非易失性存储器装置以及非易失性存储器装置的恢复方法。

2、一些示例实施例提供可防止或减少读取干扰劣化的非易失性存储器装置以及非易失性存储器装置的恢复方法。

3、根据一些示例实施例的用于解决这些技术目的的一种非易失性存储器装置包括:存储器块,包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线,所述多个单元串包括多个串选择晶体管和多个存储器单元,第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管,第二串选本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非易失性存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:电压检测器,被配置为检测第一串选择线和第二串选择线之中的至少一条的电压,

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置,还包括:电压生成器,被配置为生成串选择导通电压、串选择截止电压和恢复电压,

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中:

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中:

8.根据权利要求6所...

【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:电压检测器,被配置为检测第一串选择线和第二串选择线之中的至少一条的电压,

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置,还包括:电压生成器,被配置为生成串选择导通电压、串选择截止电压和恢复电压,

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中:

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中:

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,还包括:温度传感器,被配置为提供温度信息,

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,还包括:电压检测器,被配置为检测第一地...

【专利技术属性】
技术研发人员:金昊俊柳载惪李耀翰赵志虎
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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