【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及存储器件及其操作方法，并且更具体地，涉及一种其中用于执行编程、读取和擦除操作的各种类型的参考电压的电平被有效地调节的存储器件。
技术介绍
1、半导体存储器件可以包括存储数据的多个存储单元。此外，根据当供应给半导体存储器件的电源中断时所存储的数据是否丢失，可以将半导体存储器件分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。根据使用环境(诸如温度和/或编程/擦除计数)，包括在非易失性存储器件中的存储单元可以具有不同的工作特性，并且需要向存储单元提供与温度变化相对应的工作电压。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种有效地调节用于执行编程、读取和擦除操作的各种类型的参考电压的电平的温度补偿电路。
2、根据示例实施例，一种存储器件可以包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；电压发生器，该电压发生器被配置为输出根据存储器件的温度而变化的第一电压、不管温度如何都不变的第二电压、以及施加到多条字线和多条位线当中的至少一条线的第一参考电压；以...
【技术保护点】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述温度补偿电路包括：
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一温度补偿电路包括：
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第二温度补偿电路包括：
5.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一温度补偿电路包括：
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第二温度补偿电路包括：
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电压的电平随着所述温度升高而线性降低。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所...
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述温度补偿电路包括：
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一温度补偿电路包括：
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述第二温度补偿电路包括：
5.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一温度补偿电路包括：
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第二温度补偿电路包括：
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电压的电平随着所述温度升高而线性降低。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述温度补偿电路被配置为通过物理地切换施加所述第一电压的端子和施加所述第二电压的端子来生成所述补偿偏移电压，使得所述补偿偏移电压的电平变为负电平和正电平中的一者。
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述温度补偿电路被配置为通过改变包括在所述温度补偿电路中的所述至少一个电阻器的大小，基于所述至少一个电阻器的改变后的大小来生成所述补偿偏移电压。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴智贤，李埈圭，金儒旼，尹治元，李恩赞，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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