一种太阳能电池及其的制造方法技术

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池及其的制造方法，所述太阳能电池由底层向顶层按生长方向依次为衬底、基区和发射区；所述基区和发射区的材料为(Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;)<subgt;y</subgt;In<subgt;1‑y</subgt;As；所述基区中有多个晶格常数为a的有源层和多个晶格常数为b的腐蚀层，a和b不相等；所述腐蚀层是在生长第一腐蚀层后，通过腐蚀气体对所述第一腐蚀层的界面进行原位腐蚀而形成的绒面起伏的粗糙界面；所述有源层和腐蚀层交替分布，形成一个重复单元，在每一个重复单元中，有源层位于腐蚀层的底部。所述太阳能电池能够提高太阳能电池的抗辐照性能、吸光能力和转换效率，以及可以提高太阳电池的末期转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其是涉及一种太阳能电池及其的制造方法。

技术介绍

1、太阳电池可将太阳能直接转换为电能，是一种最有效的清洁能源形式。iii-v族化合物半导体太阳电池在目前材料体系中转换效率最高，同时具有耐高温性能好、抗辐照能力强等优点，被公认为是新一代高性能长寿命空间主电源，例如其中gainp/ingaas/ge晶格匹配结构的三结电池已在航天领域得到广泛应用。但是，空间应用环境存在高能带电粒子辐射，这些带电粒子进入太阳能电池使晶格原子发生位移，形成大量的空位、填隙原子和复合体等晶格缺陷，这些缺陷可成为载流子的复合中心，导致光生载流子寿命缩短，降低太阳能电池的光电转换效率，直接影响航天器的在轨工作寿命和可靠性。例如，多结叠层太阳电池在物理上属于串联结构，其电流受限于最小电流的子电池，在空间环境中，高能粒子对多结太阳电池中的inxga1-xas子电池造成较大的损伤，抗辐照性能较弱，经过一定能量的辐照后，inxga1-xas子电池往往成为限流子电池，从而影响末期效率。

2、因此，如何提高太阳能电池的抗辐照性能，是亟需解决的问题。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，包括：

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，张坤铭，翁妹芝，许堃，
申请(专利权)人：江苏仲磊芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：

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