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本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池及其的制造方法，所述太阳能电池由底层向顶层按生长方向依次为衬底、基区和发射区；所述基区和发射区的材料为(Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x&l...
该专利属于江苏仲磊芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏仲磊芯半导体有限公司授权不得商用。

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