半导体器件、巴条及半导体结构制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体器件，包括：第一接触层包括第一电极金属；半导体层包括依次设置在第一接触层一侧的外延层和衬底；第二电极金属与衬底连接；衬底与第二电极金属接触的表面为半导体层的第一表面；半导体层还包括分别与第一表面相邻且在第一方向上相对的第一和第二侧面；第一表面与第一侧面之间的夹角为锐角；第一接触层和第二电极金属分别在第一表面所在平面上的正投影图形具有平行于第一侧面的第一中心线和第二中心线；第二中心线与第一中心线在第一方向上具有预设偏移距离，且位于第一中心线靠近第一侧面的一侧。本发明专利技术实施例提供的半导体器件、巴条及半导体结构制作方法，能保证半导体器件电极的完整性，保证产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、巴条及半导体结构制作方法。

技术介绍

1、半导体器件被广泛应用于各个领域，与我们的生活息息相关，因此人们也越来越重视半导体器件的设计。为了得到高质量高性能的半导体器件，在一些特殊材料生长的外延下，需要将材料按照一定的角度偏移生长。目前在半导体器件图纸设计时，这种偏移生长的半导体器件的图案仍然按照传统半导体器件的设计方式来设计，导致划裂成单颗芯片时出现电极残缺、粘连等问题，导致产出良率大大降低，严重的会影响芯片的性能和可靠性。

技术实现思路

1、因此，为克服现有技术中偏移生长的半导体器件采用传统图案设计导致良率下降的问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件、巴条及半导体结构制作方法，能保证半导体器件电极的完整性，保证产品良率。

2、本专利技术的一个实施例提供一种半导体器件，包括：第一接触层，所述第一接触层包括第一电极金属；半导体层，包括依次设置在所述第一接触层一侧的外延层和衬底；第二电极金属，与所述衬底连接；其中，所述衬底与所述第二电极金属接触的表面为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设偏移距离为10～55微米。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设偏移距离的范围为h/tanθ-10～h/tanθ+10微米；其中，h为所述半导体层沿垂直于所述第一表面的方向的厚度，θ为所述第一表面与所述第一侧面之间的夹角。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面与所述第一侧面之间的夹角为70°～85°。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层沿垂直于所述第一表面的方向的厚度为80～200微米...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设偏移距离为10～55微米。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设偏移距离的范围为h/tanθ-10～h/tanθ+10微米；其中，h为所述半导体层沿垂直于所述第一表面的方向的厚度，θ为所述第一表面与所述第一侧面之间的夹角。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面与所述第一侧面之间的夹角为70°～85°。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层沿垂直于所述第一表面的方向的厚度为80～200微米。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为边发射型激光器，所述第一侧面和所述第二侧面分别与所述边发射型激光器的出光面相邻。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器的出光面垂直于所述外延层和所述衬底的叠层方向。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思远，阮春烤，
申请(专利权)人：泉州市三安光通讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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