【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅光模块，具体涉及一种用于硅光模块的大功率光源coc及硅光模块、共晶方法。
技术介绍
1、硅光模块采用大功率dfb芯片（激光器芯片），为提升光功率，其长度在800um～1000um，比普通250um左右的dfb芯片长很多，此外，为提高散热会采用p面朝下的方式共晶（共晶步骤如下：先对陶瓷热沉预热，预热温度为250℃以下，共晶的金锡焊料熔点在278℃左右，所以预热不会导致金锡焊料融化；将预热陶瓷热沉转于共晶贴片机的加热台上，并由共晶贴片机吸嘴吸附芯片，然后开启加热台，温度为320℃左右，吸嘴6下压以让芯片1与陶瓷热沉4上处于液态的金锡焊料接触，持续时间10s以上；吹氮气降温，每个coc单独吹纯净干燥氮气，持续时间15s左右，如图1所示），芯片有源区更靠近p面，因此用于硅光模块的芯片共晶过程中的热应力更大（对温度和吸嘴压力敏感，而吸嘴中间带有真空孔，仅边缘对芯片有压力），实际共晶中采用阶梯升温和降温的方式共晶，所以导致整个共晶时间很长，使得昂贵的共晶贴片机浪费时间极大，通常为15～30s才能产出一个coc（即chip oncer...
【技术保护点】
1.一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，其特征在于，所述STEP1中磁性材料为铁、钴、镍中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，其特征在于，所述磁性材料为镍，所述合金层（2）的厚度为0.5um～2um。
4.根据权利要求3所述的一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，其特征在于，所述合金层（2）为钛镍金或铂镍金。
5.根据权利要求1所述的一种用于硅光模块的大功率光源CO...
【技术特征摘要】
1.一种用于硅光模块的大功率光源coc共晶方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于硅光模块的大功率光源coc共晶方法，其特征在于，所述step1中磁性材料为铁、钴、镍中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的一种用于硅光模块的大功率光源coc共晶方法，其特征在于，所述磁性材料为镍，所述合金层（2）的厚度为0.5um～2um。
4.根据权利要求3所述的一种用于硅光模块的大功率光源coc共晶方法，其特征在于，所述合金层（2）为钛镍金或铂镍金。
5.根据权利要求1所述的一种用于硅光模块的大功率光源coc共晶方法，其特征在于，所述step3中持续时间为3s。
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【专利技术属性】
技术研发人员：方文银，彭开盛，
申请(专利权)人：武汉钧恒科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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