【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光引擎，具体涉及一种大功率光源coc、cpo硅光光引擎及耦合方法。
技术介绍
1、传统cpo硅光光引擎采用外置大功率光源coc，特别是对于ai算力领域，则要求200mw/单通道以上，该类型大功率光源coc中dfb芯片光功率＞300 mw，并配置mpd芯片监控dfb芯片光功率，其具体结构包括：第一陶瓷热沉，第一陶瓷热沉上表面上贴片dfb芯片，第一陶瓷热沉上表面上在dfb芯片后方设有一个特殊的第二陶瓷热沉，第二陶瓷热沉在临近dfb芯片的侧面（记为正面）上沿竖向贴片用以接收dfb芯片背光的mpd芯片，而第二陶瓷热沉的上表面与正面之间具有一个转角焊盘，转角焊盘将mpd芯片的电极转90°，即从上表面转移到正面，从而方便mpd芯片与转角焊盘处在正面的区域金丝键合，具体结构如图1所示，该方案的缺点为：第二陶瓷热沉为特殊陶瓷热沉，价格高，且由于dfb芯片为超高光功率，所以要求对mpd芯片的光敏面镀衰减膜，防止mpd芯片光电流饱和。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种大功...
【技术保护点】
1.一种大功率光源COC，其特征在于，包括：热沉（1）、DFB芯片（2）以及MPD芯片（3），所述热沉（1）上表面上设有第一电极焊盘（4），所述DFB芯片（2）以N电极朝下的方式贴在第一电极焊盘（4）上，所述热沉（1）上表面上在DFB芯片（2）的后方设有第二电极焊盘（5），所述MPD芯片（3）以P电极朝下的方式贴在第二电极焊盘（5）上，所述MPD芯片（3）上表面上沿远离DFB芯片（2）的方向依次具有光敏面（310）以及第一N电极（320），所述DFB芯片（2）上表面的P电极上有多根并排分布的第一金线（6）在跨过光敏面（310）后打线在MPD芯片（3）的第一N电极（32...
【技术特征摘要】
1.一种大功率光源coc，其特征在于，包括：热沉（1）、dfb芯片（2）以及mpd芯片（3），所述热沉（1）上表面上设有第一电极焊盘（4），所述dfb芯片（2）以n电极朝下的方式贴在第一电极焊盘（4）上，所述热沉（1）上表面上在dfb芯片（2）的后方设有第二电极焊盘（5），所述mpd芯片（3）以p电极朝下的方式贴在第二电极焊盘（5）上，所述mpd芯片（3）上表面上沿远离dfb芯片（2）的方向依次具有光敏面（310）以及第一n电极（320），所述dfb芯片（2）上表面的p电极上有多根并排分布的第一金线（6）在跨过光敏面（310）后打线在mpd芯片（3）的第一n电极（320）上，所述dfb芯片（2）的背光经弧形状的第一金线（6）反射在mpd芯片（3）的光敏面（310）上。
2.根据权利要求1所述的一种大功率光源coc，其特征在于，所述第一金线（6）的线径为20μm～30μm。
3.根据权利要求2所述的一种大功率光源coc，其特征在于，所述第一金线（6）的线径为25μm。
4.根据权利要求2或3所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：方文银，严雄武，彭开盛，
申请(专利权)人：武汉钧恒科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。