【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、在背照式图像传感器的制程工艺中，酸腐蚀所用的化学试剂从边缘渗透晶圆侧边会导致晶圆边角受损，因此在打磨减薄晶圆时，会导致晶圆直角边处应力集中，从而导致晶圆侧边出现过度蚀刻。这种过度蚀刻不仅会造成工艺成型尺寸不符合工艺要求，还可能导致器件结构和硅基底受损，从而导致制程良率难以提升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，能够提升制程良率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
4、承载基板；
5、工作基板，设置在所述承载基板上；
6、第一键合层，连接在所述工作基板和所述承载基板之间；
7、第二键合层，覆盖在所述工作基板的侧壁上；
8、隔离沟槽，穿过所述工作基板与所述第一键合层连接，且所述隔离沟槽将所述工作基板划分为预留部和待除部，其中所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括工作电路结构，所述工作电路结构设置在所述工作基板上，且所述工作电路结构设置于所述工作基板靠近所述承载基板的一面，其中所述工作电路结构位于所述预留部。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括光阻图案，所述光阻图案设置在所述保护层上，且所述光阻图案在所述工作基板上的正投影覆盖所述预留部。
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括工作电路结构，所述工作电路结构设置在所述工作基板上，且所述工作电路结构设置于所述工作基板靠近所述承载基板的一面，其中所述工作电路结构位于所述预留部。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括光阻图案，所述光阻图案设置在所述保护层上，且所述光阻图案在所述工作基板上的正投影覆盖所述预留部。
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化层后，且在形成所述隔离沟槽前，蚀刻所述工作基板，形成第一沟槽于所述工作基板上，以在所述预留部的表面和所述待除部的表面之间形成高度差，其中所述第一沟槽的槽壁与所述氮化层的侧壁齐平。
6.根据权利要求5所述的一种半导体结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，王涛涛，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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