【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件及其制造方法，具体地，涉及一种包括铁电场效应晶体管的半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器件通常被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在它们的电源被中断时丢失它们存储的数据，并且例如，包括动态随机存取存储器(dram)器件和静态随机存取存储器(sram)器件。非易失性存储器件即使在它们的电源被中断时也维持它们存储的数据，并且例如，包括可编程只读存储器(prom)、可擦除prom(eprom)、电eprom(eeprom)和闪存器件。另外，为了满足对性能高且功耗低的半导体存储器件的渐增需求，正在开发下一代非易失性半导体存储器件，诸如磁性随机存取存储器(mram)、相变随机存取存储器(pram)和铁电随机存取存储器(feram)器件。由于存在对集成密度高且性能高的半导体器件的需求，因此正在进行各种研究努力以开发出具有不同性质的半导体器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了一种高度集成的半导体器件及其制造方法。
2...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电线和所述第二导电线在所述第一方向上彼此间隔开，并且所述沟道图案中的所述对应的沟道图案介于所述第一导电线与所述第二导电线之间，并且所述第一导电线和所述第二导电线在第三方向上延伸，所述第三方向与所述基板的所述顶表面平行并且与所述第一方向不平行。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电线和所述第二导电线在所述第一方向上彼此间隔开，并且所述沟道图案中的所述对应的沟道图案介于所述第一导电线与所述第二导电线之间，并且所述第一导电线和所述第二导电线在第三方向上延伸，所述第三方向与所述基板的所述顶表面平行并且与所述第一方向不平行。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，每一个所述第一焊盘和每一个所述第二焊盘与所述第一堆叠件和所述第二堆叠件中的对应一者的所述侧表面的至少一部分接触。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一堆叠件和所述第二堆叠件中的每一者还包括：
9.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炅奂，金容锡，李全一，河大元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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