【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种版图拆分方法及系统、设备和存储介质。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,关键尺寸的减少,版图上的图形数量和图形密度急剧增大,逐渐出现仅利用一次光刻工艺无法将所有图形曝光至晶圆上的问题,芯片制造逐渐受到光刻分辨率的限制。
2、为了解决传统光刻分辨率极限问题, 提出了多重图形化(multiplepatterning,mp)技术, 以实现技术节点之间的收缩。多重图形化(multiplepatterning,mp)技术的核心就是把原来一层光刻的版图图形拆分到两个或多个光罩上,从而将一套高密度的图形分解为两套或多套分立的、密度更低的图形,进而利用多次光刻和刻蚀来实现原来一层设计的图形。
3、多重图形化的图形拆分将影响到后续光刻工艺的精度和质量,进而影响到整个半导体工艺流程的顺利进行。但是, 目前多重图形化技术在对原始图形进行拆分时,存在着拆分效率低下的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种版图拆分方法及
...【技术保护点】
1.一种版图拆分方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第一参考图形沿第一方向对所述原始图形进行预拆分,包括:基于所述第一参考图形在所述掩膜版图中设置第一拆分图层,所述第一拆分图层沿第二方向延伸并贯穿所述原始图形;
3.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第一参考图形进行预拆分后得到的预拆分图形作为第一预拆分图形;
4.如权利要求3所述的版图拆分方法,其特征在于,根据所述原始图形与所述第一拆分图层之间的重叠位置关系,沿第一方向对所述原始图形进行预拆分,还包括:若所述原始图形与
...【技术特征摘要】
1.一种版图拆分方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第一参考图形沿第一方向对所述原始图形进行预拆分,包括:基于所述第一参考图形在所述掩膜版图中设置第一拆分图层,所述第一拆分图层沿第二方向延伸并贯穿所述原始图形;
3.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第一参考图形进行预拆分后得到的预拆分图形作为第一预拆分图形;
4.如权利要求3所述的版图拆分方法,其特征在于,根据所述原始图形与所述第一拆分图层之间的重叠位置关系,沿第一方向对所述原始图形进行预拆分,还包括:若所述原始图形与所述第一参考图形具有重叠区域,将所述原始图形中与所述第一拆分图层的重叠区域作为第三预拆分图形;
5.如权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第二参考图形沿第二方向对所述原始图形进行预拆分,包括:基于所述第二参考图形在所述掩膜版图中设置第四拆分图层,所述第四拆分图层沿第一方向延伸并贯穿所述原始图形;
6.如权利要求5所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述第二参考图形进行预拆分后得到的预拆分图形作为第二预拆分图形;
7.如权利要求6所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述原始图形与所述第四拆分图层之间的重叠位置关系,沿第二方向对所述原始图形进行预拆分,还包括:将所述原始图形中与所述第四拆分图层的重叠区域作为第四预拆分图形;
8.如权利要求5所述的版图拆分方法,其特征在于,所述第二参考图形沿所述第二方向依次排布;
9.如权利要求5~8中任一项所述的版图拆分方法,其特征在于,所述第四拆分图层沿所述第二方向依次排布;对所述预拆分图形进行再拆分处理,包括:
10.如权利要求9所述的版图拆分方法,其特征在于,基于所述预拆分图形与所述再拆分图层之间的重叠位置关系,以及所述第二预拆分图形所在的初始子掩膜版图,对所述预拆分图形进行再拆分处理,包括:
11.如权利要求10所述的版图拆分方法,其特征在于,沿所述第一方向,将所述预拆分图形预分配至多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:林海笑,李甲兮,罗连波,丁丽华,程仁强,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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