一种弱碱性清洗剂制造技术

本发明专利技术公开了一种弱碱性清洗剂，由以下质量百分比含量的组份组成，有机溶剂10%‑80%，金属缓蚀剂0.01%‑10%，缓冲体系0.05%‑15%，氟化物0.01%‑10%，以及余量的水，所述金属缓蚀剂由氮唑类缓蚀剂与吡唑类缓蚀剂组成的混合缓蚀剂。本发明专利技术将BTA与吡唑复配之后既抑制了铝的腐蚀又解决了BTA与铝形成的线性聚合物较难去除的问题，提高了产品的良率与晶圆的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体清洗液，尤其涉及应用于集成电路制程中铝互联刻蚀后残留物移除的弱碱性清洗剂。

技术介绍

1、芯片制造技术发展到今天，随着技术节点的不断推进，对芯片尺度的要求越来越高，单个芯片的集成度也越来越高，集成度越高，制造所需的工序也越多，因此对清洗工艺和清洗效果也提出了更高的要求,清洗方式主要分为两种干法清洗和湿法清洗，湿法清洗是去除晶圆制造过程中产生的污染物（比如有机聚合物、颗粒物、刻蚀残留物、金属颗粒、氧化层等）的主要手段，清洗效果决定了产品良率是否稳定也是影响集成电路性能和品质的重要决定因素。

2、在半导体制造领域，在保证清洗效果的同时还必须考虑对晶圆中金属的保护，金属铝较活泼，在酸性和碱性条件下都易于腐蚀，在体系中添加缓蚀剂是一种良好的方式，缓蚀剂是在腐蚀介质中加入少量可以抑制或降低腐蚀速率的化学物质。缓蚀剂种类较多，有机缓蚀剂主要有胺类等含氮物质、杂环芳香类含氮物质、醛类物质、炔醇类、含磷类物质，这些物质一般含有n、o、s等孤对电子，可以在金属表面形成沉淀膜或吸附膜。

3、氮唑类金属缓蚀剂（如苯并三氮唑bta）作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种弱碱性清洗剂，其特征在于：由以下质量百分比含量的组份组成，

2.根据权利要求1所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述氮唑类缓蚀剂选自苯并三氮唑、1H-1,2,3-三氮唑、苯并三氮唑-1-甲基、5-甲基苯并三氮唑、1,2,4-三氮唑、四氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、1-氨基苯并三氮唑；

3.根据权利要求2所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述金属缓蚀剂的质量百分比为0.05%-3%，且氮唑类缓蚀剂与吡唑类缓蚀剂质量比为（1-3）：（1-3）。

4.根据权利要求1所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述有机溶剂包括酰胺、亚砜、醚、烷酮中的一种或多种的...

【技术特征摘要】

1.一种弱碱性清洗剂，其特征在于：由以下质量百分比含量的组份组成，

2.根据权利要求1所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述氮唑类缓蚀剂选自苯并三氮唑、1h-1,2,3-三氮唑、苯并三氮唑-1-甲基、5-甲基苯并三氮唑、1,2,4-三氮唑、四氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、1-氨基苯并三氮唑；

3.根据权利要求2所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述金属缓蚀剂的质量百分比为0.05%-3%，且氮唑类缓蚀剂与吡唑类缓蚀剂质量比为（1-3）：（1-3）。

4.根据权利要求1所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述有机溶剂包括酰胺、亚砜、醚、烷酮中的一种或多种的混合。

5.根据权利要求4所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述酰胺选自甲酰胺、乙酰胺(bsa)、苯甲酰胺、丙酰胺(pth)、n-甲基-n-乙基苯甲酰胺(mpa)、n-乙基乙酰胺(dea)、n,n-二甲基乙酰胺(dmac)、n,n-二乙基苯甲酰胺、n-甲基乙酰胺(nma)、n-甲基苯甲酰胺、3-甲基-n,n-二乙基苯甲酰胺、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)中的一种或多种；

6.根据权利要求2所述弱碱性清洗剂，其特征在于：所述缓冲体系选自3,3-二甲基丁酸-3,3-二甲基丁酸铵、2-乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫清莹，肖林成，康威，
申请(专利权)人：深圳迪道微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：