一种改善ALD镀膜的腔体结构制造技术

本技术公开了一种改善ALD镀膜的腔体结构，属于半导体技术领域，包括镀膜设备，述镀膜设备上安装有反应腔体组件，还包括通气组件，所述通气组件设于镀膜设备连接且安装于反应腔体组件上；所述反应腔体组件包括内腔体组件和固定组件，所述内腔体组件和镀膜设备之间通过固定组件连接；所述通气组件包括反应气管、真空气管和压力气口，所述反应气管、真空气管均安装于内腔体组件上且和镀膜设备活动连接，所述压力气口设于镀膜设备上。通过上述方式，本技术实现了反应气体在内腔体内不发生泄露，同时实现了内腔体可拆卸。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体涉及一种改善ald镀膜的腔体结构。

技术介绍

1、原子层沉积作为前沿的纳米结构合成与薄膜镀制技术，是高端制造业的代表之一。该技术通过周期性地操纵惰性气体和前驱体交替进入设备反应腔内，在基底表面实现具有自限制性和自饱和性的化学反应，使得原子能够有效沉积。与传统的化学沉积方法相比，原子层沉积技术的工艺过程中每次只有一层沉积，且由于新的一层原子薄膜的化学反应仅与前一层相互关联，所以该技术在保持形状、沉积薄膜精度、薄膜阶梯覆盖率等性能指标方面具有巨大优势。

2、ald镀膜设备的反应过程，通常需要保证反应腔体内处于真空状态，反应过程中的反应前驱气体通常具有化学性质，容易附着于腔体内部，较难清理，该气体的沉积容易影响后续的反应过程，也容易导致生成物结果的不准确。

3、基于此，本技术设计了一种改善ald镀膜的腔体结构以解决上述问题。

技术实现思路

1、针对现有技术所存在的上述缺点，本技术提供了一种改善ald镀膜的腔体结构。

2、为实现以上目的，本技术通过以下技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善ALD镀膜的腔体结构，包括镀膜设备(1)，其特征在于：所述镀膜设备(1)上安装有反应腔体组件(2)，还包括通气组件(3)，所述通气组件(3)设于镀膜设备(1)连接且安装于反应腔体组件(2)上；

2.根据权利要求1所述的改善ALD镀膜的腔体结构，其特征在于：所述镀膜设备(1)包括外腔体组件(11)和把手(12)，所述把手(12)安装于外腔体组件(11)上，所述内腔体组件(21)和外腔体组件(11)之间通过固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于外腔体组件(11)上。

3.根据权利要求2所述的改善ALD镀膜的腔体结构，其特征在于：所述外腔体组件(11...

【技术特征摘要】

1.一种改善ald镀膜的腔体结构，包括镀膜设备(1)，其特征在于：所述镀膜设备(1)上安装有反应腔体组件(2)，还包括通气组件(3)，所述通气组件(3)设于镀膜设备(1)连接且安装于反应腔体组件(2)上；

2.根据权利要求1所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述镀膜设备(1)包括外腔体组件(11)和把手(12)，所述把手(12)安装于外腔体组件(11)上，所述内腔体组件(21)和外腔体组件(11)之间通过固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于外腔体组件(11)上。

3.根据权利要求2所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述外腔体组件(11)包括箱体(111)、外腔(112)和密封盖(113)，所述箱体(111)内端开设有外腔(112)，所述内腔体组件(21)位于外腔(112)内，所述箱体(111)和密封盖(113)铰接，所述密封盖(113)的下端和箱体(111)的上端贴合密封连接，所述外腔(112)、密封盖(113)均和固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于箱体(111)上，所述把手(12)固定安装于密封盖(113)上。

4.根据权利要求3所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述反应气管(31)、真空气管(32)分别穿过箱体(111)的下端开设的两个通孔，并和通孔内的密封圈贴合滑动连接，所述反应气管(31)连通有反应气体，所述真空气管(32)连通有真空泵。

5.根据权利要求4所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述压力气口(33)开设于箱体(111)的侧壁上，压力气口(33)连通有填充气体。

6.根据权利要求5所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述内腔体组件(21)包括镀膜座(211)、反应罩体(212)、载物台(213)和反应腔(214)，所述镀膜座(211)位于外腔(112)内端，所述载物台(213)固定安装于镀膜座(211)的上端，所述反应罩体(212)的下端和镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱大军，刘晓涵，李祥明，
申请(专利权)人：泽鸿半导体设备科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：