CMP边缘压敷环制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ＣＭＰ边缘压敷环，在该ＣＭＰ边缘压敷环的外周设以可观察的标记，作为该ＣＭＰ边缘压敷环使用寿命的参考基准。当ＣＭＰ边缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先设的标记时，即可认为，该ＣＭＰ边缘压敷环已达到使用寿命。采用该ＣＭＰ边缘压敷环，通过目测即可简单有效地监控该ＣＭＰ边缘压敷环的使用寿命。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于半导体集成电路的制造器件，尤其涉及一种 CMP边缘压敷环。
技术介绍
在化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，简称CMP) 的制作工艺过程中，硅片表面的氧化膜厚度的均匀性非常重要。硅片表面 氧化膜厚度将会影响到电子器件的电性能参数，厚度不均匀会使同一硅片 上制作出的器件性能产生差异，影响成品率。化学机械研磨边缘压敷环(CHENICAL MECHICAL POLISHING RETAINING RING简称CMP边缘压敷环)已被证明会影响晶圆的品质和生产效率，不 同厚度的CMP边缘压敷环在相同压力下对晶圆周边的研磨速率有较大影 响。在CMP工艺过程中，CMP边缘压敷环会磨损而变薄，导致晶圆周边压 力增加而使氧化膜变薄，影响晶圆品质。监控CMP边缘压敷环的厚度(也可 称使用寿命)便十分重要，但是现在没有一种简单直观的方法判断CMP边缘 压敷环的寿命，如果要测量CMP边缘压敷环的厚度，必须将其从设备上拆 下，使用游标卡尺进行人工手动测量，造成设备停滞，这种方法存在滞后 性和不准确性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种CMP边缘压敷环，通过目测即可简单有效地监控该CMP边缘压敷环的使用寿命。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是 一种CMP边缘压敷环，该CMP边缘压敷环上均匀分布有数条沟槽，在该CMP边缘压敷环的外 周设以可观察的标记，该标记为该CMP边缘压敷环使用寿命的参考基准。所述的标记可以是印刷记号、针孔、刻痕或压纹。所述的刻痕可以是一环形槽。所述的标记可以位于距所述的沟槽底部1mm处。本技术通过在CMP边缘压敷环外周的有机材料上设可观察的标记 (例如印刷记号、针孔、刻痕或压纹)，当CMP边缘压敷环在使用中被磨损， 厚度逐渐变薄，触碰到预先设的标记时，即可认为，该CMP边缘压敷环已 达到使用寿命，'使用了本技术的CMP边缘压敷环后，可用肉眼在设备上 直接观察判断而不必将CMP边缘压敷环从设备上拆下，人工测量其厚度，可 简单有效地监控CMP边缘压敷环的厚度,减少由于CMP边缘压敷环的厚度超 过使用寿命而产生的周边异常。附图说明图1为现有的CMP边缘压敷环在使用过程中研磨速率的变化示意图； 图2为本技术CMP边缘压敷环实施例之一的俯视示意图； 图3为本技术CMP边缘压敷环实施例之一的截面示意图。具体实施方式在CMP工艺过程中，CMP边缘压敷环会因磨损而变薄，导致晶圆周边压 力增加而导致氧化膜变薄，影响晶圆品质。当CMP边缘压敷环厚度薄到一个固定的值时，便不能再使用，这时其厚度称为最小厚度。如图1所示，在CMP边缘压敷环厚度超过最小厚度后，晶圆周边的研磨速率急剧上升，造 成晶圆周边氧化膜厚度变薄，影响了电性参数。如图2和图3所示，该实施例的CMP边缘压敷环上均匀分布有数条沟 槽1，该沟槽1的槽宽3. 2腿，槽深3. 35腿，在距沟槽1底部l腿处，刻有 一环形槽2作为标记，该环形槽2刻在该CMP边缘压敷环外周的有机材料3 (如图2所示，该CMP边缘压敷环包括内部的钢衬底4及外周的有机材料3， 该有机材料3可以采用塑料)上作为标记(本实施例中采用的标记是刻环 形槽，当然不排除还可以将印刷记号、针孔或压纹等作为标记)。当CMP边 缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先刻的标记时，即可 认为，该CMP边缘压敷环已达到使用寿命。使用了本技术的CMP边缘压 敷环后，可用肉眼在设备上直接观察判断而不必将CMP边缘压敷环从设备上 拆下，人工测量其厚度，可简单有效地监控CMP边缘压敷环的厚度，减少由 于CMP边缘压敷环的厚度超过使用寿命而产生的周边异常。表1对采用本技术的CMP边缘压敷环与采用现有的CMP边缘压敷 环在使用寿命(Lifetime)、便捷性、准确性、确认周期几方面进行比较。表l <table>table see original document page 5</column></row><table><table>table see original document page 6</column></row><table>权利要求1. 一种CMP边缘压敷环，该CMP边缘压敷环上均匀分布有数条沟槽，其特征在于在该CMP边缘压敷环的外周设以可观察的标记。2. 如权利要求1所述的CMP边缘压敷环，其特征在于所述的标记为 印刷记号、针孔、刻痕或压纹。3. 如权利要求2所述的CMP边缘压敷环，其特征在于所述的刻痕为 一环形槽。4. 如权利要求1所述的CMP边缘压敷环，其特征在于所述的标记位 于距所述的沟槽底部lmm处。专利摘要本技术公开了一种CMP边缘压敷环，在该CMP边缘压敷环的外周设以可观察的标记，作为该CMP边缘压敷环使用寿命的参考基准。当CMP边缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先设的标记时，即可认为，该CMP边缘压敷环已达到使用寿命。采用该CMP边缘压敷环，通过目测即可简单有效地监控该CMP边缘压敷环的使用寿命。文档编号H01L21/304GK201283537SQ20082006083公开日2009年8月5日 申请日期2008年10月21日 优先权日2008年10月21日专利技术者张震宇, 赵正元 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＰ边缘压敷环，该ＣＭＰ边缘压敷环上均匀分布有数条沟槽，其特征在于：在该ＣＭＰ边缘压敷环的外周设以可观察的标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵正元，张震宇，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]