【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术。采用硅光子技术的硅光芯片，利用cmos工艺并结合微电子为代表的集成电路及光子技术，用激光束代替电子信息传输数据。
2、在硅光芯片中，波导(wave guide)层是由光透明介质，如石英玻璃等，构成的传输光频电磁波的导行结构。波导层的传输原理是在不同折射率的介质分界面上，电磁波的全反射现象使光波局限在波导层及其周围有限区域内传播。
3、然而，目前采用硅光子技术的半导体结构的性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够提高所形成的半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
3、基底；
4、波导层，位于所述基底上；
5、第一介质层，覆盖所述基底和所述波导层；
6、第二介质层，位于所述第...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为300埃至400埃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为3000埃至4000埃。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述波导层的材料包括硅或
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为300埃至400埃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为3000埃至4000埃。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述波导层的材料包括硅或者氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的绝缘层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括硅化钴、硅化钛或硅化镍中至少一种。
10.一种半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：方文斌，陈晓军，吴家亨，杨铮，惠海霞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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