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一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；波导层，位于所述基底上；第一介质层，覆盖所述基底和所述波导层；第二介质层，位于所述第一介质层上，且所述第二介质层的致密度大于所述第一介质层的致密度；金属硅化物层，位于所述第二介质层上。本...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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