一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器及制备方法，底层氧化硅和底硅构成探测器载片基底，底层氧化硅上方设有顶硅；顶层氧化硅设于顶硅上方，在顶层氧化硅中设有具有电极的左右两个穿孔窗口，金手性超表面底部与硅手性超表面顶部接触，氮化硼覆盖于金手性超表面和硅手性超表面上方，氮化硼、金手性超表面与硅手性超表面设于顶层氧化硅的左侧穿孔窗口内，石墨烯覆盖于氮化硼和左窗口电极上方；金属硅化物设于顶层氧化硅中的右侧穿孔窗口内，金属硅化物的顶部与右窗口电极相接触。本发明专利技术可片上集成，实现高分辨圆偏振光红外宽带探测，有利于抗干扰去雾的成像探测，并且无需制冷，在室温条件下即可工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测，尤其涉及一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器及制备方法。

技术介绍

1、红外圆偏振探测在分子手性检测、空间光通信等众多关系到国计民生的关键领域具有重要应用价值。首先，在抗干扰成像方面，圆偏振探测凭借“穿云透雾”的特殊功效受到广泛关注。圆偏振光在由微小水颗粒组成的云雾中传播时，螺旋性随机化速率远小于传播方向随机化速率，因此圆偏振特性得以保持，结合偏振信息可以帮助恢复图像的透射率和深度信息，有利于提升去雾效果。因此，高偏振比红外圆偏振探测器的研制具有重要意义。

2、目前较为成熟的红外圆偏振探测器有时间分离型、空间分离型。时间分离型的器件需要装配线偏振片和四分之一波片，通过旋转线偏振片或四分之一波片实现圆偏振辨别。然而这种依靠机械运动的方法，稳定性不足，每个偏振状态的停留时间有限，成像速率低，探测灵敏度低。空间分离型虽避免了机械运动，但其光路复杂、装较困难、体积臃肿。另外，上述方法要么获取全色的偏振信息，要么获取单色光的偏振信息，要么获取少数几个波段的偏振信息，均不能进行高光谱成像分析。依靠微偏振器件集成的焦平面像元级分离型器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，该光电探测器包括：

2.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，所述的金手性超表面的结构单元图形设计为：由整体的矩形外框架内勾勒出两个中心对称的月牙形孔槽，矩形外框的左上角和左下角去掉矩形边角，两个中心对称的月牙形孔槽之间再勾勒出纳米孔槽，整体结构为不对称手性结构。

3.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，所述的硅手性超表面是利用金手性超表面作为掩膜，随后基于感应耦合等离子干法刻蚀系统ICP，使用 C4F8和 SF6作为反应气体，对硅进行刻蚀而制得...

【技术特征摘要】

1.一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，该光电探测器包括：

2.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，所述的金手性超表面的结构单元图形设计为：由整体的矩形外框架内勾勒出两个中心对称的月牙形孔槽，矩形外框的左上角和左下角去掉矩形边角，两个中心对称的月牙形孔槽之间再勾勒出纳米孔槽，整体结构为不对称手性结构。

3.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，所述的硅手性超表面是利用金手性超表面作为掩膜，随后基于感应耦合等离子干法刻蚀系统icp，使用 c4f8和 sf6作为反应气体，对硅进行刻蚀而制得。

4.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，用离子束刻蚀对金手性超表面之间的纳米连接条带进行刻蚀，得到硅手性超表面之间有纳米条带连接，而金手性超表面之间则不连接的复合手性超表面；所述金手性超表面和硅手性超表面通过调整不同的尺寸实现对响应波长的灵活调控。

5.根据权利要求1所述的一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，金手性超表...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐杨，谢云斐，张致翔，李宗文，张倩倩，马源，柴健，汪晓晨，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：