一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件技术

本申请公开了一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件，涉及半导体工艺领域，首次形成的介电层的最小厚度大于目标厚度范围的下限，之后对介电层厚度进行优化达到所需的性能指标，即先形成稍偏厚的介电层，再将介电层减薄到目标厚度范围内对介电层的厚度均匀性进行调整，可以使介电层的厚度以及相应电容的容值在片内和片间都处在target偏差＜1%范围内，解决不同工艺腔室、不同PM周期、不同工艺调整阶段对介电层沉积厚度的影响。并且在制备完电容的上电极层后就直接抽测电容晶圆不同区域的电容容值，分析这片电容晶圆上介电层的整体质量，发现有异常就及时返工处理，可以节省很多工序步骤，降低生产成本，保证后续产品良率的稳定。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件。

技术介绍

1、在ipd（integrated passive device）集成无源器件和异质集成滤波器中电容都是非常关键的组成单元，在常规mim电容的晶圆化生产过程中，介电层是用气相沉积工艺来进行的。由于气相沉积工艺过程和工艺设备腔体设置的原因，在晶圆上沉积的介电层厚度无法做到完全一致，片内和片间厚度都会存在差异，行业较好的量产水平可以控制在3%以内的厚度均匀性，厚度差异体现在电容容值上的差异会影响到滤波器的性能参数，比如带宽这一滤波器的性能参数；3%的容值差异很大程度上无法满足后端应用对滤波器性能的要求。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件，以实现得到整片晶圆对外输出电容容值均匀的电容的目的。具体方案如下：

2、本申请第一方面提供一种电容晶圆的制备方法，所述电容晶圆的制备方法包括：

3、提供一衬底；

4、在所述衬底上形成下电极层；>

5、形成介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述电容晶圆的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述对所述介电层进行厚度优化，包括：

3.根据权利要求1所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述抽测所述电容晶圆不同区域的电容容值，包括：

4.根据权利要求1-3任一项所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述抽测所述电容晶圆不同区域的电容容值，包括：

5.根据权利要求4所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述LCR测试仪包括第一探针和第二探针，所述采用LCR测试仪探针分别接触所述上电极层和所述下电极层，以抽测所...

【技术特征摘要】

1.一种电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述电容晶圆的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述对所述介电层进行厚度优化，包括：

3.根据权利要求1所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述抽测所述电容晶圆不同区域的电容容值，包括：

4.根据权利要求1-3任一项所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述抽测所述电容晶圆不同区域的电容容值，包括：

5.根据权利要求4所述的电容晶圆的制备方法，其特征在于，所述lcr测试仪包括第一探针和第二探针，所述采用lcr测试仪探针分别接触所述上电极层和所述下电极层，以抽测所述电容晶圆不同区域的电容容值，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志虎，左成杰，何军，张苏东，
申请(专利权)人：安徽安努奇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：