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本申请公开了一种电容晶圆及其制备方法、半导体器件，涉及半导体工艺领域，首次形成的介电层的最小厚度大于目标厚度范围的下限，之后对介电层厚度进行优化达到所需的性能指标，即先形成稍偏厚的介电层，再将介电层减薄到目标厚度范围内对介电层的厚度均匀性进...
该专利属于安徽安努奇科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽安努奇科技有限公司授权不得商用。

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