一种集成续流二极管的光伏电池及其制造方法和光伏组件技术

本发明专利技术涉及光伏电池技术领域，具体而言，涉及一种集成续流二极管的光伏电池及其制造方法和光伏组件，包括pn结型光电转换单元和集成的续流二极管；光电转换单元的pn结位于光电转换单元的背面；续流二极管包括第一区域硅、第二区域硅，在第一区域硅和第二区域硅之间设置有效杂质浓度是第一区域硅有效杂质浓度5~500倍的第三区域硅，光电转换单元的pn结和所述续流二极管的pn结的结区呈线状沿背面的Y轴方向延伸，平行且相间隔地沿背面的X轴方向布置。本发明专利技术能够消除续流二极管对光生电流的分流，续流二极管区域无需遮挡，达到既将续流二极管集成于光电转换单元，又不占用电池受光面积，不引起光生电流分流损失的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池，具体而言，涉及一种集成续流二极管的光伏电池及其制造方法和光伏组件。

技术介绍

1、叉指背接触结型（ibc）光伏电池、叉指背接触异质结型（hbc）光伏电池等叉指类背接触（xbc）光伏电池，是现有光电转换效率最高的光伏电池类型之一，特别是叉指背接触a-si/c-si异质结（hbc）光伏电池，更是将此类光伏电池的光电转换效率提高到了接近其理论极限的程度。

2、但是，xbc光伏电池，特别是hbc光伏电池，存在如下缺点，影响其规模化工业生产：

3、第一，光伏电池金属化线路银耗量大。

4、现有技术的光伏电池的电极材料主要是金属银，银耗量大的原因在于：

5、1）现有技术光伏电池需要互连条通过锡钎焊实现互连，电池表面的栅线主要成分是银；

6、2）仅包含一个pn结光电转换单元的低电压大电流输出的光伏电池对栅线电阻敏感，需要更大总横截面的金属银栅线；

7、3）hbc光伏电池因为其全程采用低温制备工艺，低温工艺使得电极的金属粒子间接触变差、金属与硅的接触变差，为弥补此不足，对电极栅线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光伏电池，包括pn结型光电转换单元和在所述光电转换单元上集成的续流二极管；所述光电转换单元的pn结位于所述光电转换单元的背面，并由第一区域硅和交替排布在第一区域硅上的第四区域硅、第五区域硅组成；所述续流二极管包括第一区域硅、与所述第一区域硅导电类型互补的第二区域硅，所述第一区域硅和所述第二区域硅形成所述续流二极管的pn结，其特征在于，在所述第一区域硅和所述第二区域硅之间设置有与所述第一区域硅导电类型相同、有效杂质浓度是所述第一区域硅有效杂质浓度5~500倍的高掺杂浓度的光生少子阻挡区的第三区域硅；且所述续流二极管的反向偏压在0 ~ 0.6V时，续流二极管的pn结结区处于所述第二区...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池，包括pn结型光电转换单元和在所述光电转换单元上集成的续流二极管；所述光电转换单元的pn结位于所述光电转换单元的背面，并由第一区域硅和交替排布在第一区域硅上的第四区域硅、第五区域硅组成；所述续流二极管包括第一区域硅、与所述第一区域硅导电类型互补的第二区域硅，所述第一区域硅和所述第二区域硅形成所述续流二极管的pn结，其特征在于，在所述第一区域硅和所述第二区域硅之间设置有与所述第一区域硅导电类型相同、有效杂质浓度是所述第一区域硅有效杂质浓度5~500倍的高掺杂浓度的光生少子阻挡区的第三区域硅；且所述续流二极管的反向偏压在0 ~ 0.6v时，续流二极管的pn结结区处于所述第二区域硅和所述第三区域硅的所在区域范围内；所述光电转换单元的pn结和所述续流二极管的pn结的结区呈线状沿背面的y轴方向延伸，平行且相间隔地沿背面的x轴方向布置。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述第三区域硅与第二区域硅之间设置有厚度为1~10nm的第一i硅层，形成pin结构；

3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述光电转换单元具有如下至少一种特征：

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述光伏电池包括2个以上光电转换单元，所述2个以上光电转换单元处于同一平面且z轴朝向一致，并按y轴方向延伸、顺向接续相拼接，各拼接的光电转换单元串联连接，且至...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛勇，王全志，李林东，
申请(专利权)人：苏州晨晖智能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：