半导体结构及其形成方法技术

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区域及与所述第一区域相邻的第二区域，所述初始牺牲图形包括第一初始牺牲图形和第二初始牺牲图形；在所述掩膜层表面上形成多个分立的第一牺牲图形和至少一个第二牺牲图形包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区域及与所述第一区域相邻的第二区域，所述初始牺牲图形包括第一初始牺牲图形和第二初始牺牲图形；在所述掩膜层表面上形成多个分立的第一牺牲图形和至少一个第二牺牲图形包括：

4.根据权利要求2或3所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区域及与所述第一区域相邻的第二区域，所述初始牺牲图形包括第一初始牺牲图形和第二初始牺牲图形；在所述掩膜层表面上形成多个分立的第一牺牲图形和至少一个第二牺牲图形包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区域及与所述第一区域相邻的第二区域，所述初始牺牲图形包括第一初始牺牲图形和第二初始牺牲图形；在所述掩膜层表面上形成多个分立的第一牺牲图形和至少一个第二牺牲图形包括：

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一初始牺牲图形和覆盖所述第一初始牺牲图形的侧墙层构成所述第一牺牲图形，所述第二初始牺牲图形和覆盖所述第二初始牺牲图形的侧墙层构成所述第二牺牲图形；相邻的所述第二牺牲图形之间具有第三凹槽，所述第三凹槽具有第三宽度，所述第一宽度小于所述第三宽度，第三宽度小于所述第二宽度，所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的顶部表面齐平。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一凹槽底部的部分厚度的所述掩膜层的同时，刻蚀去除所述第三凹槽和第二凹槽底部的部分厚度的所述掩膜层，使得所述第一凹槽的深度大于所述第三凹槽的深度，所述第三凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽底部部分厚度的所述掩膜层采用反向深宽比刻蚀工艺，采用所述反向深宽比刻蚀工艺进行刻蚀时，第一凹槽底部的掩膜层被刻蚀的厚度大于所述第三凹槽底部的掩膜层被刻蚀的厚度，所述第三凹槽底部的掩膜层被刻蚀的厚度大于所述第二凹槽底部的掩膜层被刻蚀的厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反向深宽比刻蚀工艺采用的前驱体为氟化物。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用所述反向深宽比刻蚀工艺进行刻蚀时，所述第一凹槽底部产生的刻蚀副产物厚度小于所述第三凹槽底部产生的刻蚀副产物厚度，所述第三凹槽底部产生的刻蚀副产物厚度小于所述第二凹槽底部产生的刻蚀副产物厚度，且在刻蚀过程中所述第一凹槽和第三凹槽底部产生的刻蚀副产物依次被去除，以对底部的掩膜层进行刻蚀，而所述第二凹槽底部的掩膜层表面保留有部分厚度的刻蚀副产物，保留的所述刻蚀副产物阻挡对第二凹槽底部的掩膜层的刻蚀。