一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，属于厚薄膜结合技术领域，包括以下步骤制备多层氧化铝陶瓷基板；对多层氧化铝陶瓷基板的表面进行研磨抛光处理；在多层氧化铝陶瓷基板的表面溅射金属层；对金属层进行多次光刻和镀覆形成薄膜结构。本发明专利技术提供的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，将多层氧化铝陶瓷基板与溅射在氧化铝陶瓷基板表面的金属层结合，形成厚膜结合薄膜的结构，利用薄膜自身的特性弥补多层氧化铝陶瓷基板的缺陷。薄膜工艺线宽线间距最小20μm，薄厚金区域布局不受限，且金属化平整度较高，微波传输损耗小，因此，本专利采用薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，实现了提高布线密度和集成度，降低微波传输损耗的目标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于厚薄膜结合，更具体地说，是涉及一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺。

技术介绍

1、随着电子设备小型化集成化更为突出、频率越来越高，要求封装产品拥有更为密集的布线、更高的集成度。

2、氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有着广泛的应用前景，尤其是氮化铝陶瓷具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性、与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点，使其成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。但传统的氧化铝陶瓷外壳量产线宽线间距最小60μm，且薄厚金镀层区域需要有腔体隔离或者相对较大的绝缘距离，因此对于集成度高的产品来说，布局受限严重，同时丝网印刷工艺导致线条的平整度较差，微波传输损耗较大。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，旨在解决采用氧化铝陶瓷外壳，对于集成度高的产品来说，布局受限严重，微波传输损耗较大的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种薄膜与氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，在步骤S3中，多层氧化铝陶瓷基板的表面溅射的金属层为TiW-Au材质。

3.如权利要求2所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，在步骤S4中，至少经过一次光刻、二次光刻、三次光刻和四次光刻，以及至少经过一次镀覆和两次镀覆，一次镀覆位于一次光刻和二次光刻之间，二次镀覆位于二次光刻和三次光刻之间。

4.如权利要求3所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，一次镀覆为电镀厚金，二次镀覆为局部电镀薄...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，在步骤s3中，多层氧化铝陶瓷基板的表面溅射的金属层为tiw-au材质。

3.如权利要求2所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，在步骤s4中，至少经过一次光刻、二次光刻、三次光刻和四次光刻，以及至少经过一次镀覆和两次镀覆，一次镀覆位于一次光刻和二次光刻之间，二次镀覆位于二次光刻和三次光刻之间。

4.如权利要求3所述的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺，其特征在于，一次镀覆为电镀厚金，二次...

【专利技术属性】
技术研发人员：于斐，杨振涛，张鹤，余希猛，张倩，张会欣，任昊迪，刘林杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：