【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制备设备，具体为一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备。
技术介绍
1、超薄碳化硅单晶衬底是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，它是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料，因此在固态照明、国防、航空、航天、电力电子、通信、石油勘探、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景，此外，超薄碳化硅单晶衬底的加工过程也十分重要，主要包括切片、薄化和抛光等步骤，其中，切片作为加工过程的第一道工序，其性能决定了后续薄化、抛光的加工水平，因此，控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。
2、现有技术中，如中国专利号：cn114147550a，提供一种刀具抛光清洗设备，刀具抛光清洗设备包括刀具夹持座、打磨座和风机，刀具夹持座设置于打磨座的上侧，且刀具夹持座与打磨座配合，风机则设置于打磨座的一侧，且风机与打磨座配合；刀具夹持座包括夹持头和转动座，转动座设置于打磨座的内侧，且转动座与打磨座转动配合，夹持头则设置于转动座的上侧，且夹持头与转动座固定连接，改进刀具抛光清...
【技术保护点】
1.一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：包括主体机构（1），所述主体机构（1）的内壁顶部固定连接有切割组件（2），所述主体机构（1）的内表壁固定连接有夹持机构（3）；
2.根据权利要求1所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：两个所述空心柱（212）的外表壁均固定连接有一组外接板（213），两组所述外接板（213）的内部均预设有活动槽（214），两组所述活动槽（214）的内表壁均活动插设有活动杆（215），两组所述活动杆（215）的外表壁均固定套设有夹持线轮（216）。
3.根据权利要求2所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备...
【技术特征摘要】
1.一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：包括主体机构（1），所述主体机构（1）的内壁顶部固定连接有切割组件（2），所述主体机构（1）的内表壁固定连接有夹持机构（3）；
2.根据权利要求1所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：两个所述空心柱（212）的外表壁均固定连接有一组外接板（213），两组所述外接板（213）的内部均预设有活动槽（214），两组所述活动槽（214）的内表壁均活动插设有活动杆（215），两组所述活动杆（215）的外表壁均固定套设有夹持线轮（216）。
3.根据权利要求2所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：两组所述夹持线轮（216）其中一个的外表壁均固定安装有挤压外盘（217），两组所述夹持线轮（216）其中另一个的外表壁均开设有线槽（218），且两组挤压外盘（217）的外表壁均转动在线槽（218）的内部，两组所述活动杆（215）的顶部均固定连接有驱转电机b（219），两组所述驱转电机b（219）的外表壁均固定套设有固定架（220），且两组固定架（220）的底部均与外接板（213）的外壁一侧固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：两个所述空心柱（212）的外表壁均固定连接有一组连接板（221），两组所述连接板（221）的外表壁之间均固定连接有联动管（222），两个所述联动管（222）的外表壁均固定套设有一组轴承b（223），两组所述轴承b（223）的外表壁之间均固定套设有安装架（224），且两个安装架（224）的底部均与支撑架（201）的顶部固定连接。
5.根据权利要求4所述的一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于：两个所述联动管（222）的内部均预设有一组驱转槽三（225），两组所述驱转槽三（225）的内表壁均活动插设有驱转杆三（226），两个所述驱转杆三（226）的外表壁均固定套设有钢丝收卷轮（227），两个所述驱转杆三（226）的外表壁均固定连接有一组驱转电机c（228），两组所述驱转电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈广，陈少良，
申请(专利权)人：大同锡纯新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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