【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造的，具体涉及一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用。
技术介绍
1、石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积（mocvd）设备中支撑和加热单晶衬底的部件。石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用，因此是mocvd设备的核心关键部件。石墨基座作为mocvd设备中的核心零部件之一，是衬底基片的承载体和发热体，直接决定薄膜材料的均匀性和纯度，因此基座的热稳定性和热均匀性直接影响了外延片的制备，同时随着使用次数增加、工况环节变化，又极容易损耗，属于耗材。
2、因此，亟需研发一种具有热稳定性和热均匀性的基座。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述问题，提供一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用。
2、本专利技术通过优化基座上表面和下表面沉积的碳化硅涂层的粗糙度和碳化硅涂层厚度，使半导体基座下表面的热发射率上升，半导体基座上表面的热发射率下降，有利于提高半导体基座整体蓄热...
【技术保护点】
1.一种半导体基座，其特征在于，包括基座，设置于基座上表面的第一碳化硅涂层和设置于基座下表面的第二碳化硅涂层；所述第一碳化硅涂层的厚度小于所述第二碳化硅涂层的厚度，所述第一碳化硅涂层上表面的粗糙度小于所述第二碳化硅涂层下表面的粗糙度，所述第一碳化硅涂层上表面的发射率小于所述第二碳化硅涂层下表面的发射率且所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1-1.2）。
2.根据权利要求1所述的半导体基座，其特征在于，所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1.02-1.11）；和/或，p>
3.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体基座，其特征在于，包括基座，设置于基座上表面的第一碳化硅涂层和设置于基座下表面的第二碳化硅涂层；所述第一碳化硅涂层的厚度小于所述第二碳化硅涂层的厚度，所述第一碳化硅涂层上表面的粗糙度小于所述第二碳化硅涂层下表面的粗糙度，所述第一碳化硅涂层上表面的发射率小于所述第二碳化硅涂层下表面的发射率且所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1-1.2）。
2.根据权利要求1所述的半导体基座，其特征在于，所述第一碳化硅涂层上表面的发射率与所述第二碳化硅涂层下表面的发射率的比值为1:（1.02-1.11）；和/或，
3.根据权利要求1所述的半导体基座，其特征在于，所述第一碳化硅涂层的厚度与所述第二碳化硅涂层的厚度的比值为1:（2-30）；和/或，
4.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖家豪，夏家志，柴攀，万强，
申请(专利权)人：湖南德智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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