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本发明涉及半导体制造的技术领域，提供了一种半导体基座、半导体基座的制备方法及半导体基座的应用。所述半导体基座包括基座，设置于基座上表面的第一碳化硅涂层和设置于基座下表面的第二碳化硅涂层；所述第一碳化硅涂层上表面的发射率小于所述第二碳化硅涂层...
该专利属于湖南德智新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南德智新材料有限公司授权不得商用。

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