X射线散射量测装置及X射线散射量测方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种X射线散射量测装置及X射线散射量测方法，通过对X射线源、第一X射线聚焦镜、第二X射线聚焦镜、至少一个光阑的位置；第一X射线聚焦镜、第二X射线聚焦镜的姿态；以及至少一个光阑的尺寸进行调节，从而能够使得从X射线源发出的X射线入射到待测样品上而形成较小的光斑截面尺寸，因而能够获得更小的量测区域尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及x射线量测领域，具体涉及一种基于两级聚焦的反射式小角x射线散射量测装置及x射线散射量测方法。

技术介绍

1、随着集成电路产业的发展，芯片的特征尺寸逐渐减小，同时也出现了越来越多复杂的三维结构。为了在生产制作的过程中提高产品良率，需要在半导体制造工艺期间的各个步骤进行量测以检测晶片上的缺陷。通过量测可以获得芯片结构的关键尺寸、膜厚度等结构参数信息。

2、传统的量测方法主要采用可见光，由于其穿透性较弱，因而难以获得高深宽比材料的三维结构信息，同时由于其波长较长，因而难以获得较高的量测精度。而原子力显微镜(afm)以及扫描隧道显微镜(stm)虽然能够获得原子级别的量测精度，但是他们需要大量的时间进行扫描，而且仅能获得芯片的表面结构信息。扫描电子显微镜(sem)也能够获得较高的量测分辨率，但同样无法穿透样品获得内部结构信息。为了克服穿透深度问题，发展出了一系列破坏性样本结构的量测方法，例如透射电子显微镜(tem)将样品进行破坏性分段，可以获得任意纵向位置的结构参数。然而该技术需要破坏样品并且成像时间较长，难以运用于芯片的实际生产工艺流程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种X射线散射量测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的X射线散射量测装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的X射线散射量测装置，其特征在于，>

9.一种X射...

【技术特征摘要】

1.一种x射线散射量测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的x射线散射量测装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的x射线散射量测装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的x射线散射量测装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的x射线散射量测装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的x射线散射量测装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻虹，谈志杰，
申请(专利权)人：张江国家实验室，
类型：发明
国别省市：