【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种低静态功耗控制电路与存储器。
技术介绍
1、延迟锁相环(delay locked loop，dll)是在锁相环(phase locked loop，pll)的基础上改进得到的，目前已被广泛应用于集成电路中。
2、目前，dll作为存储器源同步时钟产生模块，大多采用低阈值电压器件，以保证较小的信号延迟。然而，随着dll采用的器件尺寸逐渐变小，dll产生的亚阈值漏电电流逐渐增大，尤其是当存储器工作温度较高时，亚阈值漏电会越发严重，导致存储器的静态功耗较高。
技术实现思路
1、本公开提供了一种低静态功耗控制电路与存储器，可以有效减小dll的亚阈值漏电电流，降低存储器的静态功耗。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种低静态功耗控制电路，应用于存储器，所述存储器包括延迟锁相环，所述低静态功耗控制电路包括状态控制电路与漏电保护电路；
3、所述漏电保护电路的第一端接地，第二端与所述延迟锁相环的接地端连接；或者，所述漏电保护电路的第一端与供电...
【技术保护点】
1.一种低静态功耗控制电路，其特征在于，应用于存储器，所述存储器包括延迟锁相环，所述低静态功耗控制电路包括状态控制电路与漏电保护电路；
2.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路还用于：
3.根据权利要求1或2所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述预设工作状态为读取状态。
4.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述延迟锁相环包括延迟线和时钟树；
5.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括温度感应电路与门电路；
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种低静态功耗控制电路，其特征在于，应用于存储器，所述存储器包括延迟锁相环，所述低静态功耗控制电路包括状态控制电路与漏电保护电路；
2.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路还用于：
3.根据权利要求1或2所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述预设工作状态为读取状态。
4.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述延迟锁相环包括延迟线和时钟树；
5.根据权利要求1所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括温度感应电路与门电路；
6.根据权利要求5所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述门电路包括第一晶体管与逻辑电路；
7.根据权利要求6所述的低静态功耗控制电路，其特征在于，所述漏电保护电路包括第二晶体管；所述第二晶体管的控制端与所述门电路的输出端连接；
8.根据权利要求7所述的低静态功耗控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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