【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆抛光设备，具体而言，涉及一种晶圆终点在线检测抛光设备。
技术介绍
1、化学机械抛光（chemico-mechanical polishing，简称cmp）是一种全局平坦化工艺，对晶圆进行加工，对晶圆表面进行化学腐蚀并进行机械抛光，在打磨过程中，需要对晶圆是否打磨至预设效果进行检测，在cmp机台上进行epd终点检测时，需要在在抛光盘及抛光垫上开设窗口，并在窗口上封装透光材料，但在抛光过程中，由于透光材料的密封性的问题，会在抛光垫与抛光盘之间的开口处形成抛光积液，而积液会对经过开口的光路造成影响，从而影响epd终点检测。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种晶圆终点在线检测抛光设备，旨在解决相关技术中抛光垫与抛光盘之间的开口处抛光积液对经过开口的光路造成影响，从而影响epd终点检测的问题。
2、本申请的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本申请的实践而习得。
3、根据本申请的第一方面，提供一种晶圆终点在...
【技术保护点】
1.一种晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一通孔与第二通孔的形状均为以所述抛光盘及抛光垫的转动轴心为圆心的弧形。
3.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，在所述抛光垫的径向方向上，所述第二孔段比所述第一通孔宽出的距离的表达式为：
4.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔的弧线所形成的圆心角为45°-75°。
5.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一通孔与第二通孔的形状均为以所述抛光盘及抛光垫的转动轴心为圆心的弧形。
3.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，在所述抛光垫的径向方向上，所述第二孔段比所述第一通孔宽出的距离的表达式为：
4.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔的弧线所形成的圆心角为45°-75°。
5.根据权利要求2所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通孔所形成的弧线的半径为120mm-160mm。
6.根据权利要求1所述的晶圆终点在线检测抛光设备，其特征在于，所述第一透光部为玻璃，所述第二透光部为聚氨酯。
7.根据权利要求1所述的晶圆终点在线检测抛光设备，...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜涛，周惠言，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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