RF相邻堆叠的可变宽度制造技术

描述了用于在存在相邻FET开关堆叠时制造FET开关堆叠的设备和方法。FET开关堆叠被设计或制造成使得至少其顶部FET具有比其底部FET的宽度小的宽度。描述了其他电压处理配置和宽度的分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开内容涉及集成电路设备，并且更具体地涉及用于在存在相邻堆叠时处理rf开关堆叠中的电压分布的方法和装置。

技术介绍

1、如图1所示，开关堆叠(诸如其全部内容通过引用并入本文的us 6,804,502中所示的开关堆叠)中的fet两端的电压分布是不均匀的。顶部fet(图中的fet#32)通常比堆叠中的任何其他fet承受更大比例的总施加开关电压。因此，这样的承受压力最大的fet具有首先失效的趋势，从而致使其他fet以类似多米诺骨牌效应的方式失效。这样的电压分布不均等通常由寄生电容引起。解决此问题的已知方法是使堆叠的晶体管从底部至顶部逐渐变大，以代替或附加地在堆叠的晶体管之间增加离散电容。关于fet开关堆叠中的电容补偿，可以参考例如pct公开申请wo 2008/133621，该pct公开申请的全部内容通过引用并入本文。

技术实现思路

1、本申请描述了用于在存在相邻堆叠时处理rf开关堆叠中的电压分布的新的装置和方法，如在所附图中详细描述的。

2、根据第一方面，提供了一种集成电路，包括：第一堆叠，其包括从第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路(IC)，包括

2.根据权利要求1所述的IC，其中

3.根据权利要求2所述的IC，其中

4.根据权利要求2所述的IC，其中

5.根据权利要求4所述的IC，其中

6.根据权利要求4或5所述的IC，其中

7.根据权利要求6所述的IC，其中

8.一种RF开关电路，包括根据权利要求1所述的IC，所述第一堆叠是第一开关堆叠，并且所述第二堆叠是第二开关堆叠。

9.一种集成电路(IC)，包括

10.根据权利要求9所述的IC，其中

11.根据权利要求9所述的IC，其中<...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种集成电路(ic)，包括

2.根据权利要求1所述的ic，其中

3.根据权利要求2所述的ic，其中

4.根据权利要求2所述的ic，其中

5.根据权利要求4所述的ic，其中

6.根据权利要求4或5所述的ic，其中

7.根据权利要求6所述的ic，其中

8.一种rf开关电路，包括根据权利要求1所述的ic，所述第一堆叠是第一开关堆叠，并且所述第二堆叠是第二开关堆叠。

9.一种集成电路(ic)，包括

10.根据权利要求9所述的ic，其中

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【专利技术属性】
技术研发人员：沙希·沙马尔，马特·阿莉森，
申请(专利权)人：派赛公司，
类型：发明
国别省市：