一种MOS器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种MOS器件及其形成方法，MOS器件包括设置在衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述衬底上，且所述第一栅氧层靠近所述源极设置，所述第一栅氧层的厚度小于所述第二栅氧层的厚度，所述第二栅氧层远离所述源极的一侧与所述漏极重叠设置，从而形成不对称栅氧层，并使得GIDL效应易发区域附近的栅氧层厚度较厚，从而降低了GIDL效应，同时并没有降低MOS器件的整体开关速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种mos器件及其形成方法。

技术介绍

1、gidl（gate induced drain leakage，栅诱导漏极泄漏电流）是mosfet主要的断态漏电机理。mosfet的栅极关断且漏极接高电压时，在漏端的杂质扩散层与栅极的重叠且靠近界面处的能带发生强烈弯曲，使得表面形成反型层，由于耗尽层特别窄，而导带电子和价带空穴发生带-带隧穿效应(band-to-band tunneling，btbt)，从而形成漏极漏电流。为了降低gidl效应，通常会增加栅氧厚度，但是，栅氧厚度的整体增厚降低了mosfet整体的开关速度。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，提供一种mos器件及其形成方法，可以降低gidl效应。

2、为了解决以上问题，本专利技术提供一种mos器件，包括设置在衬底上的栅极结构，分别位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述衬底上，且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS器件，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极结构，分别位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述衬底上，且所述第一栅氧层靠近所述源极设置，其中，所述第一栅氧层的厚度小于所述第二栅氧层的厚度，所述第二栅氧层远离所述源极的一侧与所述漏极重叠设置。

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，从所述源极向漏极的延伸方向上，所述第二栅氧层厚度保持不变。

3.如权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，所述第二栅氧层的厚度为所述第一栅氧层的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种mos器件，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极结构，分别位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述衬底上，且所述第一栅氧层靠近所述源极设置，其中，所述第一栅氧层的厚度小于所述第二栅氧层的厚度，所述第二栅氧层远离所述源极的一侧与所述漏极重叠设置。

2.如权利要求1所述的mos器件，其特征在于，从所述源极向漏极的延伸方向上，所述第二栅氧层厚度保持不变。

3.如权利要求2所述的mos器件，其特征在于，所述第二栅氧层的厚度为所述第一栅氧层的厚度的1.05倍~1.1倍。

4.如权利要求1所述的mos器件，其特征在于，从所述源极向漏极的延伸方向上，所述第二栅氧层的厚度先逐渐增大再保持不变。

5.如权利要求4所述的mos器件，其特征在于，在厚度保持不变时，所述第二栅氧层的厚度为所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王岩，吴卓杰，唐凌，丁文凤，覃庆媛，谭发龙，成悦兴，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：