温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种MOS器件及其形成方法，MOS器件包括设置在衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述...
该专利属于杭州积海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州积海半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。