【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆蚀刻领域，特别涉及一种等离子体蚀刻设备。
技术介绍
1、一般plc(planarlightwavecircuit)器件都是在晶圆上反复进行制造工艺制成的。制造工艺包括在晶圆上进行沉积、掩膜、光刻、蚀刻、后沉积等工艺，各工艺前后还需要进行辅助性的清洗、干燥及检查工艺。特别是蚀刻工艺是实际在晶圆上呈现图案的重要工艺之一，在晶圆表面涂覆具有感光性的光刻胶，然后进行图案曝光，根据曝光后的图案进行蚀刻，根据不同的图案，通过工艺生产后，该器件就能呈现一定的光学特性。干式蚀刻是利用蚀刻气体进行等离子体蚀刻、离子束蚀刻或反应性离子蚀刻等。其中，反应性等离子蚀刻将蚀刻气体引入反应腔体内，电离后加速到晶圆表面，对晶圆表面最上层物质进行物理和化学性蚀刻。蚀刻调节容易，生产效率高，可以呈现微米级别的图案，因此被广泛地使用。
2、在晶圆夹具上安装聚焦环可以使得等离子体在晶圆表面均匀分布，但是在腔体内进行蚀刻工艺的同时，因工艺气体与晶圆表面的膜层发生反应从而产生蚀刻衍生物(聚合物)，这些衍生物不仅沉积在腔体内部还会沉积在聚焦环内部。腔体内...
【技术保护点】
1.一种等离子体蚀刻设备，其特征在于，包括：具有第一容腔的第一主体、具有第二容腔的第二主体以及均匀聚焦机构，所述第一容腔与所述第二容腔对接形成蚀刻腔，所述第一容腔内设置有用以固定晶圆的固定机构，所述第二容腔的顶部连通有蚀刻气体供应管道，所述均匀聚焦机构可拆卸连接于所述第二容腔内，所述均匀聚焦机构设置于所述固定机构的上方，所述第二容腔的内壁设置有螺旋线圈，所述螺旋线圈的高度与所述均匀聚焦机构的高度对应，所述均匀聚焦机构的外壁为陶瓷材质，所述第一容腔的底部设置有排气孔。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其特征在于，所述固定机构包括卡盘以及夹具，所述卡...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体蚀刻设备，其特征在于，包括：具有第一容腔的第一主体、具有第二容腔的第二主体以及均匀聚焦机构，所述第一容腔与所述第二容腔对接形成蚀刻腔，所述第一容腔内设置有用以固定晶圆的固定机构，所述第二容腔的顶部连通有蚀刻气体供应管道，所述均匀聚焦机构可拆卸连接于所述第二容腔内，所述均匀聚焦机构设置于所述固定机构的上方，所述第二容腔的内壁设置有螺旋线圈，所述螺旋线圈的高度与所述均匀聚焦机构的高度对应，所述均匀聚焦机构的外壁为陶瓷材质，所述第一容腔的底部设置有排气孔。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其特征在于，所述固定机构包括卡盘以及夹具，所述卡盘设置于所述第一容腔的中部，所述夹具升降设置于所述卡盘的边缘，用以固定所述卡盘上的晶圆。
3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻设备，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：何祺昌，金勳起，陈成桓，金成刚，刘春泳，雷礼超，
申请(专利权)人：安捷芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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