一种结构化图形的背面刻蚀流程方法技术

一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备具有正面起伏图形的结构；S2、采用PECVD在衬底背面生长一层掩膜层；S3、正面涂覆光刻胶，用来平坦化；S4、在正面的光刻胶上面涂覆半透明状的保护膜；本发明专利技术相较于传统的方法多了一些步骤，但是能保证大规模量产的顺利进行，不会造成由于受热不均匀导致的正面光刻胶烧焦带来的缺陷，同时正面的保护膜也不用采用导电膜，从而降低了材料的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺，具体涉及一种结构化图形的背面刻蚀流程方法。

技术介绍

1、在大规模量产的半导体领域经常有些产品会用到背面工艺，即在正面已经形成了一定的图形，而由于产品工艺，需要在背面刻蚀衬底，以形成一定的结构，在正面图形完成后，需要将晶圆反过来，并在背面做光刻，刻蚀出一定的图形，而一般正面的图形做完图形化之后，都会有高低起伏，一般最高的表面为晶圆的最上表面，最低的表面为芯片与芯片之间的切割道区域，这两个区域之间会形成一定的高度差，由于为了后续划片的需求，通常晶圆上的每颗芯片之间的切割道都是十字交叉连接在一起的，这样就会导致将晶圆翻转之后，将正面放置在光刻机上的时候，由于光刻机采用的都是真空吸附晶圆的设计，就会导致晶圆漏气，不能有效地吸住晶圆，在后续的涂胶旋转过程中晶圆脱落造成破片，最终不能有效地进行背面光刻。

2、在大规模量产产品使用的工艺设备中，pecvd和干法刻蚀机台都是采用静电吸附晶圆，虽然采用静电吸附晶圆的机台对晶圆的高低起伏要求不高，但是静电吸附时需要再接触静电盘的一面附着导电膜，而导电膜的成本较高，这无疑增加了生产成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于，步骤S2中掩膜层为氮化硅或者氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于：步骤S3中涂覆的光刻胶厚度与正面起伏图形结构的起伏高度差成正比。

4.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于：步骤S4中光刻胶上的保护膜为蓝膜、UV膜或导电膜。

5.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于：所述的PECVD和干法刻蚀设备吸附晶圆的方式...

【技术特征摘要】

1.一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于，步骤s2中掩膜层为氮化硅或者氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种结构化图形的背面刻蚀流程方法，其特征在于：步骤s3中涂覆的光刻胶厚度与正面起伏图形结构的起伏高...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦丹钧，岳玲，秦烨，乐泽鹏，张旭，张伟，钱林春，
申请(专利权)人：无锡墘旃半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：