【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸不断减小，鳍式场效应晶体管被广泛应用于集成电路元器件中。
2、在鳍式场效应晶体管的制造工艺中，通常在高k介质层上形成功函数金属(workfunction metal,wfm)，其中，功函数金属的厚度对晶体管的性能有极大影响。对于不同导电类型的晶体管而言，其具有的功函数金属的厚度不同，此外，晶体管阈值电压的调节也可以通过调整功函数金属层的厚度实现。
3、对于集成度较高的器件，不同晶体管之间并排排布且间距很小，由于不同晶体管具有的功函数金属的厚度不同，容易导致金属在不同晶体管区之间发生扩散，产生金属边界效应(metal boundary effect，简称mbe)，从而导致静态漏电流升高，器件稳定性降低，器件性能受到影响。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其形成方法，抑制了不同晶体管区之间的金属边界效应，提高了晶体管的稳定性。
2、为...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层的材料包括氮化钛；所述第二功函数层的材料包括氮化钛。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层中的氮原子数量与钛原子数量的比值等于1；所述第二功函数层中的氮原子与钛原子数量的比值等于1。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三功函数层具有铝原子；所述第四功函数层具有铝原子。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三功函数层的材料包括钛铝碳化合物；所述第四功函数层的材料包
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层的材料包括氮化钛；所述第二功函数层的材料包括氮化钛。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层中的氮原子数量与钛原子数量的比值等于1；所述第二功函数层中的氮原子与钛原子数量的比值等于1。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三功函数层具有铝原子；所述第四功函数层具有铝原子。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三功函数层的材料包括钛铝碳化合物；所述第四功函数层的材料包括钛铝碳化合物。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括氮化钛；所述第二阻挡层的材料包括氮化钛。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层中的氮原子与钛原子数量的比值小于1，所述第一阻挡层和第二阻挡层内具有氮原子空穴。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层中的氮原子与钛原子数量的比值为0.7～1。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括钛硅氮化合物或碳氮硅化合物，所述第二阻挡层的材料包括钛硅氮化合物或碳氮硅化合物，所述第一阻挡层和第二阻挡层内具有氮原子空穴。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层厚度与第二阻挡层厚度相同；所述第一阻挡层的厚度为0.5纳米～2纳米，所述第二阻挡层的厚度为0.5纳米～2纳米。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层的厚度与第二功函数层的厚度不同；所述第三功函数层的厚度与第四功函数层的厚度不同。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层的厚度小于所述第二功函数层的厚度；所述第三功函数层的厚度大于第四功函数层的厚度。
13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层位于所述第一功函数层顶部表面；所述第二阻挡层位于所述第二功函数层顶部表面。
14.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的侧壁表面和第二栅极结构的侧壁表面相互接触。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三阻挡层，所述第三阻挡层内具有空位缺陷，所述第三阻挡层位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：司进，殷立强，宁倩玉，崇二敏，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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