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一种半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的第一晶体管区和第二晶体管区;在所述第一晶体管区上形成第一功函数层,在所述第二晶体管区上形成第二功函数层;在所述第一功函数层形成第一阻挡层,在所述第二功函数层表面形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的第一晶体管区和第二晶体管区;在所述第一晶体管区上形成第一功函数层,在所述第二晶体管区上形成第二功函数层;在所述第一功函数层形成第一阻挡层,在所述第二功函数层表面形成...