半导体光学接收器及具半导体光学接收器的激光封装结构制造技术

技术编号:42014430 阅读:19 留言:0更新日期:2024-07-16 23:08
本发明专利技术提供一种半导体光学接收器及包含该半导体光学接收器的激光封装结构。根据本发明专利技术的半导体光学接收器包含基材以及主动层。基材具有第一上表面、第二上表面以及形成于第一上表面与第二上表面之间的侧壁。基材的第二上表面高于第一上表面。基材的侧壁与第一上表面之间的夹角的角度范围为从90度至135度。主动层形成于基材的侧壁上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体光学接收器及包含该半导体光学接收器的激光封装结构,尤其涉及一种利于检测激光组件时具有高收光效率且做为散热基板的半导体光学接收器及包含该半导体光学接收器的激光封装结构。


技术介绍

1、目前的激光封装结构包含激光组件以及半导体学接收器。半导体光学接收器设置以接收激光组件从其本身的后发光面射出的激光束进而检测激光组件的光学功率。

2、请参阅图1,图1为一现有技术的激光封装结构1的侧视图。如图1所示,该现有技术的激光封装结构1包含激光组件10、半导体光学接收器12、封装载体14以及次载体(sub-mount)16。

3、封装载体14包含主体142以及自主体142向上延伸的垂直壁144。主体142具有顶表面1422。垂直壁144具有前表面1442。垂直壁144的前表面1442与主体142的顶表面1422相邻。次载体16固定于主体142的顶表面1422上。

4、半导体光学接收器12包含基材122以及主动层124。基材122具有上表面1222以及下表面1224。主动层124形成于基材122的上表面1222上。基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体光学接收器,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述主动层并且延伸至所述第二上表面。

3.根据权利要求2所述的半导体光学接收器,其中所述主动层并且延伸至所述第一上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述第二上表面与所述第一上表面之间的垂直距离范围为从10μm至1000μm。

5.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述基材由选自由硅、绝缘层上覆硅、砷化镓、磷化铟以及氧化铝所组成的群组中之一所形成。

6.一种激光封装结构,包含:

7.根据权利要求6所述的激光封装结...

【技术特征摘要】

1.一种半导体光学接收器,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述主动层并且延伸至所述第二上表面。

3.根据权利要求2所述的半导体光学接收器,其中所述主动层并且延伸至所述第一上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述第二上表面与所述第一上表面之间的垂直距离范围为从10μm至1000μm。

5.根据权利要求1所述的半导体光学接收器,其中所述基材由选自由硅、绝缘层上覆硅、砷化镓、磷化铟以及氧化铝所组成的群组中之一所形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋盈彻吴信陵
申请(专利权)人:点量企业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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